Paramety tranzistoru SOA?

Dolnsky Pavel p.dolnsky@atlas.cz
Neděle Září 6 00:00:11 CEST 2009


Dekuji za info,
pocital jsem to stejne,ale nebyl jsem si jist.
Pokud je nahradni schema diody odpor tak spinam ciste odporovou zatez s nepodstatnou kapacitou, tak by to snad mohlo jit.
Ma to byt na 12V o 24V hovorim jako o ciste teoreticke havarijni situaci.

>dnesnej dobe nie je problem dat odolnejsi.
Jak se to vezme, kdyz zacnete hledat tranzistor s malym RDSon, v malem pozdru, s dobrou dostupnosti a cenou, zjistite, ze toho az takmoc neni, ja po cca hodine dosel k tomu IRF7455. Mozna jsou i lepsi, ale je to docela fuska, teda pokud clovek hleda a musi kontrolovat dostupnost a cenu u cca tri prodejcu v CR, u vyrobcu je nabidka siroka a vyhledavani celkem solidni. Puvodne jsme nebyl z SO-8 nadseny, ale pak 2x4 nohou bude mit nizsi prechodovy odpor nez DPAK.

Pavel
 


 
>Pro první přiblížení lze předpokládat, že ztrátový výkon při spínání
bude menší než P = Umax*Imax*(tr + tf)/T, T je perioda spínání. Ale dost
to bude záležet na tom, co vlastně spínáte - odporovou či indukční
zátěž.
Mrazík
Dolnsky Pavel píše v So 05. 09. 2009 v 22:14 +0200:
> U max neprekrocim 24 i 12 < 30
> Imax , nejspise take ne pokud chci spinat max 10A a oni uvadi 13A
> dale je to ale otazka
> ztratovy vykon, v sepnutem stavu mam pri 10A RDS 7.5mOhmu, to dava 0.75W pri stride 50/50 0.375W
> Nicmen netusim jak spocitat ztratovy vykon pri spinani ani teplotu prechodu.
> 
> Pavel
> 


Další informace o konferenci Hw-list