NAND vs NOR flash

Novotny Pavel novotny.pp@atlas.cz
Středa Říjen 7 16:38:05 CEST 2009


Multi level cell pro 2 bity, stav bunky se odlisuje na 4 ruzna napeti (podle elektronu chycenych na FG) a z tech se zjisti jake 2 bity jsou v bunce ulozeny.
Za zvyseni kapacity se plati zvysenim mozneho vyskytu chybnych bitu a pomalejsim ctenim a zapisem. Tusim optimalizace dnes dosla az k 4bitum na cell.

>A co ji nahradí?
Samsung pred mesicem prozjel masovou vyrobu PRAM pameti a veri ze to budou PRAM, oproti FLASH same vyhody, prakticky neomezena zivotnost, vysisi rychlost, lze pouzit jako RAM atd.

PN



>---------------------------------------------------------
>Od: Pavel Kadečka
>Přijato: 7.10.2009 15:04:33
>Předmět: Re: NAND vs NOR flash
>
>2009/10/7 Novotny Pavel <novotny.pp@atlas.cz>:
>
>> Nevyhodou je cteni/programovani pouze po celych strankach pameti a mazani po celych blocích.Dalsi fintou je zapis vice nez jednoho bitu do bunky, coz opet zvysuje kapacitlu,
>
>> ale na ukor rychlosti a zivotnosti.
>
>
>
>Jak se dá zapsat víc než jeden bit do buňky?
>
>
>
>> Technicky kazda pamet pouziva trochu jiny princi a efekt, ale to se na venek neprojevuje, vyse uvedene jsou nejvetsi rodily, ktere uzivatel pozna navenek.
>
>> Prakticky vzado je Flash mrtva technologie a do 5 let po ni nestekne ani pes (v oblasti pametovych technologii pro hronadne uchovani dat), jeji hlavni nevyhodou je mizerna zivotnost a niceni se pri zapisech cca 100.000 Write/Errese cyklu.
>
>
>
>A co ji nahradí?
>
>
>
>P.K.
>
>_______________________________________________
>
>HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
>
>Hw-list@list.hw.cz
>
>http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>
>
>
>


Další informace o konferenci Hw-list