Trvale dobijeni geloveho akumulatoru.
Andrej Jancura
hw_aj@zoznam.sk
Úterý Květen 26 17:37:37 CEST 2009
Ahoj,
mozem sa spytat, co brani premiestnit pol R2,P1 za odpor R1 na emitor Q1?
Este jedna poznamka, R1 a odpor LM317 medzi 32 by mal byt priblizne rovnaky.
A.
----- Original Message -----
From: "Martin Hanek" <martin.hanek@centrum.cz>
To: "HW-news" <hw-list@list.hw.cz>
Sent: Tuesday, May 26, 2009 4:30 PM
Subject: Re: Trvale dobijeni geloveho akumulatoru.
LM317 mam na stole v tomto zapojeni:
http://www.uoguelph.ca/~antoon/circ/labc3.html
ale zavira to moc brzo. Dal jsem tam odpor 3R3 a uz pri 95mA je na
vystupu pouze 9.5V.
Dalsim problemem je ten odpor v GND, potreboval bych jej v kladne vetvi,
aby GND byla primo spojena. Zkousel jsem to s odporem a PNP tranzistorem
na vystupu, ale take to zavira moc brzo. Musim si pohrat s temi odpory.
Martin Hanek
Juraj Michálek napsal(a):
> ST robi priamo zdroj pre dobijanie gelovie, je to v principe LM317 s
> napevno
> nadstavenym delicom na 13,8V BTW preco neopuzit LM317, pripadne jeho SMD
> derivaty s nizsim vykonom ?
>
> S pozdravom
> Juraj Michálek
> www.toolsquare.com
> ICQ: 209 598 598
_______________________________________________
HW-list mailing list - sponsored by www.HW.cz
Hw-list@list.hw.cz
http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
__________ Informacia od ESET NOD32 Antivirus, verzia databazy 4105
(20090526) __________
Tuto spravu preveril ESET NOD32 Antivirus.
http://www.eset.sk
Další informace o konferenci Hw-list