Tranzistor a indukcni zatez
Pavel Hudecek
phudecek@tiscali.cz
Čtvrtek Březen 13 13:22:17 CET 2008
> > dioda, jakožto
> > omezující prvek bude limitovat napětí na cívce,
> > takže místo aby U záviselo
> > na dI/dt, zde je U=Uf+Ur (kde Uf je úbytek na diodě
> > a Ur je úbytek na odporu
> > cívky) a dI/dt závisí na hodnotě U. Takže se nám
> > ze stovek V, či kV stane
> > např. 0,8-2 V.
From: <tsvach@volny.cz>
>
> Jo vzdyd jsem psal (asi nesrozumitelne) ze se na indukcnosti
> obevi vzdy to velke napeti.
Ne. Na indukčnosti se po rozepnutí původní cesty objeví vždy přesně takové
napětí, jaké je potřeba k zachování dosavadní velikosti proudu. Zda bude
velké nebo malé, závisí výhradně na hodnotě proudu a vlastnostech obvodu
okolo.
> Na svorkach civky, to je az za tim
> vnitrnim odporem civky, kde jsou letovaci
> body je diky proudu a ubytkum to napeti male.
Ta závislost platí obráceně: Cívku po vypnutí musíme považovat za téměř
ideální proudový zdroj. Indukované napětí tedy není nezávislou veličinou.
Příklad:
Proud v okamžiku rozepnutí: I0 =1 A
Odpor vinutí: R = 1 Ohm
Indukčnost: L = 1 mH
Úbytek na diodě: Uf = 0,8 V
Napájecí napětí: Ucc = 20 V
Po rozepnutí se naindukuje 1,8 V, z čehož 1 V bude úbytek na R a 0,8 úbytek
na diodě. Proud začne klesat rychlostí 1,8 mA/us. S proudem klesá i úbytek
na R a s ním i indukované U, jenžto se bude postupně blížit k Uf. Na
tranzistoru bude v průběhu tohoto procesu 20,8 V.
Kdybychom chtěli rychlost zvýšit, můžeme např. do serie s diodou zapojit 22V
transil, čímž dosáhneme zvýšení počátečního di/dt na 22,8 mA/us. Rychlost
bude po většinu vybíjecího času téměř konstantní. Na tranzistoru bude po
vypnutí 42,8 V a po cca 44 us poklesne na 20 V. Počáteční ztrátový výkon v
transilu bude 22 W. V transilu se spálí většina z 0,5 mJ akumulovaného v L.
Také můžeme dát transil antiparalelně k tranzistoru. Abychom dosáhli
přibližně stejné tychlosti poklesu proudu, musí mít 43 V. Průběhy napětí a
proudů budou stejné, ale počáteční ztrátový výkon v transilu bude 43 W a
celkem se v něm spálí skoro 2x víc energie, než v prvním případě.
Stejná energie se ztratí v tranzistoru, když nepoužijeme žádný napětí
omezující prvek, který by to vzal za něj (nezávisle na rychlosti jeho
rozpínání).
> Takze pri Low Side transistoru to dam paralelne k civce (proud tece jen
> civkou a diodou) pri High Side transistoru to dam k transistoru (pokud
> tam zu vevnitr neni)
Neexistuje žádný principielní důvod, proč by se horní a dolní spínače měly
chránit odlišným způsobem.
> K tarnsitoru se jiste mohou dat vsechny mozne ochrany,
> ale je otazka nac, pokud mam sparvne dimenzovane soucastky.
Třeba proto, že zapojením omezujícího prvku k cívce snížím spotřebu a
ztrátový výkon celého zařízení.
PH
Další informace o konferenci Hw-list