rozdíl mezi 2SK170 a DS170
Petr Simek
psimek@jcu.cz
Pondělí Březen 3 10:33:42 CET 2008
On Mon, 3 Mar 2008, Kručinský Ladislav wrote:
> něco úplně jiného, jenom se chci ujistit - BS170 je dle nadpisu "TMOS FET
> Switching N-channel-enhancement" zatímco 2SK170 je "Field Effect
> Tranzistor Silicon N channel junction type" - tady pro mne podstatný
> rozdíl nevidím. Ale ten 2SK170 má parametry uvedeny se záporným znaménkem
> (např Vgds = -40V) zatímco ten BS 170 je uvádí všechny kladné.
> Co jsem kurňa přehlídl já ? Respektive pracovníci GM...
To prvni je MOS FET - tedy to co potrebujete, to druhe je JFET s N kanalem -
cili zadne kovove gate izolovane oxidem ale gate je vlastne dioda a ovlada
se zavernym napetim - v tomhle pripade naprazdno vede a zaporne napeti ho
zavira (aspon doufam ze jsme to nespletl)..
> Ing. Ladislav Krucinsky
*------------------------------------------------------------------------*
| Petr Simek APS JU |
| psimek@jcu.cz |
*------------------------------------------------------------------------*
Další informace o konferenci Hw-list