Nabijeni NiMH

Pavel Hudecek phudecek@tiscali.cz
Čtvrtek Únor 21 16:45:03 CET 2008


Nejde-li použít P-FET kvůli diodě, pak určitě půjde použít N-FET:-)
(ne nutně na stejném konci baterky).

Jinak důležité je, že u podobných aplikací zásadně buď vyjde celkem náročné 
nabíjení (v případě 3 článků a USB bude muset umět zvyšovat i snižovat), 
nebo optimalizace na konkrétní typ článků (zejména pokud byste chtěl, aby se 
to nabíjelo napěťově) a potíže při změně dodavatele. Je tedy důležité 
prostudovat DS od konkrétního typu, pak si to s ním ještě prakticky ověřit a 
pokud možno na více kusech s různým datumem výroby.

Při konstrukci je nutno počítat s tím, že některé počítače mohou vyžadovat 
korektní chování, včetně odběru nad 100 mA až po "oficiálním ohlášení", jiné 
na to kašlou a dodají klidně 10 A, přičemž se rozteče izolace uvnitř kabelu, 
nebo přepálí spoj na MB, případně obojí. Jindy zas zjistíte, že počítač 
proud sice neměří, ale má výstupní odpor 1 Ohm i více...

Zrovna včera jsem viděl USB disk, kterej se zapojoval do 2 USB kvůli vyššímu 
proudu:-)

Určitě před nabíjením nevybíjet vždy, vede to k dobře definované, ale 
poněkud krátké životnosti článků. Na druhou stranu občasné dovybití (1x za 
1-3 měsíce) většinou pomůže zpomalit nárůst vnitřního odporu a nikdy 
neuškodí.

PH

From: <n11444@seznam.cz>
No a jelikoz baterie slouzi k napajeni pristroje, dostanou se na USB v
podstate v libovolnem stavu. Snad jen uplnemu vybiti by mela zabranit
vnitrni elektronika.
Prave tu s tim tak nejak experimentuji a zjistuji, ze ani P-FET nelze na
spinani nabijeni pouzit. Kvuli jeho vnitrni diode je potreba pouzit v ceste
5V schottkyho diodu a ta ma prilis velky ubytek napeti. V tom pripade se jiz
baterie nabijeji jen asi 200mA a to pri 1Ah kapacite AAA baterii dava >4h
nabijeni a to je opravdu prilis. 




Další informace o konferenci Hw-list