Spinani zateze vuci zemi mikropocitacem
Lukas Grepl
L.Grepl@sh.cvut.cz
Pátek Červen 1 23:24:24 CEST 2007
> Rad bych vedel, jak byste takoveto spinani resili vy. Prochazel jsem
> ruzne materialy, ale moc sem toho nenasel (i kdyz toho musi byt vsude
> asi spoustu).
Pokud by nebyl pozadavek na rychlost spinani, resil bych to asi podobne.
Akorat, jak uz tu zaznelo, bylo by vhodne pouzit tranzistor s mensim
Rdson. Zkus se podivat treba k SEMICu na tranzistory od IRF v SO8.
> Na tomto zapojeni me mrzi tech 5mA, ktere protekaji jen tak pro nic za
> nic pri sepnuti zateze. Dale me mrzi, ze po rozepnuti vystupniho
Je mozne jeste dale zvetsit pouzite odpory, ale samozrejme za cenu
snizeni strmosti hran a jeste dalsich negativnich efektu. Zalezi na
konkretni aplikaci.
> P-MOSFETu se nikam neodvadi naboj z kapacity jeho gate... To by delalo
> jiste problem na vyssich frekvencich spinani. Jak byste resili tedy
Odvadi se pres ten R1, ale samozrejme bude to nejakou dobu trvat (cca
jednotky az desitky mikrosekund).
> spinani vuci zemi na vyssich frekvencich?
Asi nejlepsi je v takovem pripade pouzit integrovane budice.
Lukas Grepl
Další informace o konferenci Hw-list