Spinani zateze vuci zemi mikropocitacem

Lukas Grepl L.Grepl@sh.cvut.cz
Pátek Červen 1 23:24:24 CEST 2007


> Rad bych vedel, jak byste takoveto spinani resili vy. Prochazel jsem 
> ruzne materialy, ale moc sem toho nenasel (i kdyz toho musi byt vsude 
> asi spoustu).

Pokud by nebyl pozadavek na rychlost spinani, resil bych to asi podobne. 
Akorat, jak uz tu zaznelo, bylo by vhodne pouzit tranzistor s mensim 
Rdson. Zkus se podivat treba k SEMICu na tranzistory od IRF v SO8.

> Na tomto zapojeni me mrzi tech 5mA, ktere protekaji jen tak pro nic za 
> nic pri sepnuti zateze. Dale me mrzi, ze po rozepnuti vystupniho 

Je mozne jeste dale zvetsit pouzite odpory, ale samozrejme za cenu 
snizeni strmosti hran a jeste dalsich negativnich efektu. Zalezi na 
konkretni aplikaci.

> P-MOSFETu se nikam neodvadi naboj z kapacity jeho gate... To by delalo 
> jiste problem na vyssich frekvencich spinani. Jak byste resili tedy 

Odvadi se pres ten R1, ale samozrejme bude to nejakou dobu trvat (cca 
jednotky az desitky mikrosekund).

> spinani vuci zemi na vyssich frekvencich?

Asi nejlepsi je v takovem pripade pouzit integrovane budice.

Lukas Grepl



Další informace o konferenci Hw-list