Tranzistorove pole pre kladnu vetvu

[Miroslav Sinko]

Odpoviem si sam, mozno sa to niekomu hodi. 
Ani po dlhsom hladani som nenasiel nic, co by splnalo povodne
predstavy. 

Riesit sa to da napr. pouzitim samostatnych P-MOSov v DIP4 puzdre
IRFD9110/9120. Parametre tranzistorov daleko prevysuju potreby, ale
puzdra sa daju naskladat vedla seba ako DIPx obvod. Pre SMD sa daju
pouzit IRF7342, co je 2x P-MOS v SO8 puzdre (parametre tiez daleko
prevysuju potreby). 
P-MOSy maju vyhodu, ze nie je potrebny odpor do Gate, nevyhodou je
vyssia cena konkretne uvedenych typov. Lacnejsim riesenim su potom len
samostatne tranzistory. Na hrane, co sa tyka ubytku napatia je napr.
bezny BS250.
Ked uz bezny tranzistor, je pre dane pouzitie mozno lepsie pouzit PNP
(nevyhoda - nutny odpor do bazy), napr. zmieneny BC640. Pripadne v SMD
BC857/858.

miro



--- Miroslav Sinko <sinkomiro@rocketmail.com> wrote:

> Dobry den,
> 
> vedeli by ste mi poradit IO - tranzistorove pole aspon styroch PNP
> alebo P-MOS tranzistorov, schopne dodat prud 50mA na jeden budic, ale
> s
> ubytkom napatia max 0.5V pri tomto prude? 
> 
> Nieco ako TD62783, ale tento ma saturacne napatie 1.8 - 2V, to je
> vela.
> Pole zlozene z BC640 by bolo idealne.
> 
> Pripadne nejaky budic zbernice, ale so samostatnymi OE pre kazdy bit.
> Nieco ako 74HC125, ale ten tiez nevyhovuje ubytkom napatia.
> 
> Vdaka,
> miro
> 
> 
> 
> 
> 
> 
> __________________________________________________
> Do You Yahoo!?
> Tired of spam?  Yahoo! Mail has the best spam protection around 
> http://mail.yahoo.com 
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list@list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
> 


__________________________________________________
Do You Yahoo!?
Tired of spam?  Yahoo! Mail has the best spam protection around 
http://mail.yahoo.com