Tranzistor na stridavy proud / napeti ?

[Pavel Hudecek]

Pak bude tedy nejjednodušší (nikoli ovšem nejlevnější) použít zmiňovaný
MOSFETový optočlen CPC1218Y.

Poznámky k předchozí diskusi:

Dlužno dodat, že antiparalelní dioda se v MOSFETech nachází proto,
že se bez ní nedají vyrobit (nevím, zda je toto pravidlo absolutní, ale určitě
postihuje drtivou většinu). Sepnutý tranzistor vede v obou směrech, což
při záporném proudu a malém RDSon znamená, že diodou dokonce nic
procházet nebude - toho se běžně využívá v synchronních usměrňovačích.

Střídavý proud se dá snadno spínat antisériovým zapojením, kdy jsou
oba tranzistory buď rozepnuté, nebo oba sepnuté (tím se zase
eliminuje úbytek na oné vnitřní diodě). Podle okolností v obvodu
můžete dle libosti volit N-N, P-P, N-P, ale vždy tak, aby vnitřní diody
směřovaly nesouhlasně.

Obecně vzato, bývá snaha se vyhnout průchodu proudu tou diodou,
neb mívá dost mizerné parametry - u tranzistorů na vyšší napětí nechutně
velký náboj závěrného zotavení, u nízkonapěťových se zas běžně nelíbí
úbytek napětí.

Ta dioda tedy není na ochranu, ale většinou na obtíž:-)

PH

From: <martin2222@seznam.cz>


Napeti zhruba 20V,proud 100mA,frekvence radove stovky kHz,
rychlost spinani cca 100ms,napetovy ubytek na spinaci 0.2V je ok,
0.7V jeste jakz takz (puvodne jsem hledal spis nasmerovani na sortu
soucastek nez konkretni typ/reseni).

Od: Danhard <danhard@volny.cz>
----------------------------------------
Jake napeti, proud, rychlost spinani a vubec proc ? jinak jsou to kecy o
ho..., nebo tady snad chcete rozebrat vsechny moznosti polovodicoveho
spinani ac proudu ?
http://www.clare.com/home/pdfs.nsf/www/CPC1218Y_R01.pdf

Danhard
*******


Jo, to jsem zapomnel napsat - je potreba co nejmensi napetovy ubytek
(0.2V C-E ujde, 0.7V by jeste jakztak mohlo byt)


> 1) A co triak/optotriak?
Tak to si musim nastudovat.

> 2) Dva tranzistory "antiparalelene" (vlastne by to slo i
> "antiseriove"), jeden NPN, druhy PNP + mozna pridat diody, aby kazdy
> spinal jen svoji polaritu.
To by se PNP musel ale spinat zapornym napetim a to tam nejak nemam.
Navic problemy s ubytkem na diodach, pokud by se pridaly.


> mosfet? bez diody samozrejme
> b.
Ja myslel, ze mosfet zaporne napeti nevydrzi a prave proto se dovnitr
casto pridava ta dioda (???).


> Muze to udelat i tim jednim tranzistorem, musi ale pocitat s tim, ze bude
> mit cca 10x mensi zesileni v tom "opacnem" smeru. Proud to samozrejme
udrzi
> uplne stejny jako v "normalnim" rezimu.
Bohuzel jsem zatim nenarazil na soucastku, kde by toto bylo specifikovano
i v popisu. A nemuzu si dovolit, aby po osazeni zacaly tranzistory treba
po pul roce odchazet. :-(


> Pokud potrebujete vetsi proudy i napeti pak dejte T do D-mustku.
Tady to asi bude nepouzitelne kvuli ubytku napeti na diodach, ale
i tak by me zajimalo, jak by se resilo rizeni tranzistoru bazi, kdyz
pri kladne pulvlne by na C bylo +U a na E zem a pri zaporne pulvlne
na C byla zem a na E bylo -U. (Anebo jsem nepochopil, jak je to mysleno.)