Pamet a RTC
Jan Waclawek
wek@evona.sk
Čtvrtek Červen 8 18:40:13 CEST 2006
RVsoft wrote:
> Dival jsem se na to jak ty zarizeni funguji na jedne I2C sbernici a neni
> mi jasne kd evezmu jejich adresu - ta je pevne urcena vyrobcem?
Bud tak, alebo je na cast adresy vyhradenych zopar noziciek.
> Nejak mi
> ale nesedi jen 8b kod zarizeni...
>
No, bohuzial, rovnake zariadenia nepripojite, a je aj dost lahko mozne
ze sa stretnu 2 s rovnakou adresou. Inak by vsak ten protokol
neprimerane napuchol.
> Jak to je s EEPROM pametmi a zapisovanim na jedno a to same misto? Je
> treba ty mista nejak stridat nebo je to jedno?
No to zavisi od toho, ci sa chcete predrat az po holy kremik :-)))
Pocet povolenych zapisovych cyklov urcuje tzv. "endurance", a u EEPROM
byva 1e5 az 1e6 (kuk do datasheetu), tak si to zratajte.
Ak by to nestacilo, daju sa robit rozne tie triky s pouzivanim viacerych
miest ("wear leveling"), ale lepsie je pouzit bud nejaku RAM+baterku (na
I2C dost zriedkavost), alebo je teraz moderna (aj ked trocha drahsia)
suciastka tzv. FRAM (feroelektricka RAM - nedajte sa pomylit nazvom, je
nonvolatile t.j. neskleroticka) - prakticky to robi len f. RAMTRON aj
ked pred nejakym casom s tym machrovali v press releasoch viaceri - tam
sa do cyklov rataju aj citania ale 5V ma specifikovanych 1e8 cyklov a 3V
ma specifikovane nekonecno, takze sa to dobre rata :-) Ma este jednu
dobru vlastnost, a to rychly zapis, nie je treba vobec cakat (u EEPROM
to trva milisekundy).
wek
Další informace o konferenci Hw-list