Paralelni razeni IGBT

[RV]

Predpokladam, ze v pripade paralelniho zapojeni rovnomerne rozlozeni 
napeti nemusim resit a jde o to jen rovnomerne rozlozit proud.

V pripade nabijeni a vybijeni gate nejsem schopen asi udelat nic jineho 
nez privest beze ztrat stejne napeti - vysledna kapacita gate se bude 
scitat, ale rozlozeni dane nejakyma vyr. odchylkama asi nejsem schopen 
ovlivnit.

Vyrovnat proud ve vykonnove casti chci udelat vlozenim seriove 
indukcnosti do kazde vetve IGBT misto jedne spolecne civky, ktera by tam 
musela byt tak jako tak.

Nic vic mne nenapada.

RadekCX

Daniel Valuch napsal(a):

>dovod preco by to nemalo ist neexistuje samozrejme ziaden, akurat musite 
>zabezpecit aby sa aj pocas prechodoveho deja vsetky veliciny rovnomerne 
>rozlozili na vsetky kusy. Asi nema zmysel vypisovat vsetky detaily, ale 
>inspirujte sa napriklad seriovym radenim diod/tyristorov, kde treba 
>okrem zaverneho napatia rovnomerne rozlozit aj kapacitu.
>b.
>  
>