NMOS v inverznim rezimu

[Vladimír Anděl]

Pri sepnuti je odpor v obou polaritach v podstate stejny, jen pri rozepnuti
tam vadi ta dioda.
----- Original Message ----- 
From: "Petr Simek" <psimek@jcu.cz>
To: "HW-news" <hw-list@list.hw.cz>
Sent: Wednesday, January 05, 2005 7:57 PM
Subject: Re: NMOS v inverznim rezimu


On Wed, 5 Jan 2005, a b wrote:

> Zdravim,

> poradite mi jestli nejsou nejake zadrhele pri pouziti NMOS tranzistoru v
> inverznim rezimu? -- je zapojen tak, ze proud proteka od S k D (to ze je
> tam odchrana/lavinova dioda mi nevadi).

Pekny priklad takoveho pouziti je na :

http://www.mirnet.cz/vaelektronik/bastl/fetdioda.htm

> Zajimalo by me, jak je to s odporem a proudovou zatizitelnosti
> tranzistoru v tomto zapojeni.

Je to podobne jako v normalnim rezimu - tedy pri sepnuti. V rozepnutem
rezimu kdy to vede pres tu diodu tam muze byt mnohem vetsi vykonova
ztrata.

> P.S. jedna se o tranzistor IRFS31N20D a bude spinat 150V / 2A

V invernim rezimu asi 150V spinat nebude.


*------------------------------------------------------------------------*
|                          Petr Simek   APS JU                           |
|                             psimek@jcu.cz                              |
*------------------------------------------------------------------------*

_______________________________________________
HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
Hw-list@list.hw.cz
http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list