Driver P-mosfet tranzistoru

[Danhard]

Ja jen ze se to s tema nabojema jednoduse pocita, a u tranzistoru byva uvadena
charakteristika zavislosti naboje na gate na napeti Ugs, pripadne je tam i
krivka pro ruzne hodnoty ciloveho napeti Uds, tam je primo videt podil te
zpetnovazebni kapacity.

Danhard


> Jiri, prevazne jde o odvedeni prostoroveho naboje gate, vliv zpetnovazebni
> kapacity je jen castecny,
> naboj na gate to popisuje celkem dostatecne, jelikoz i zpetnovazebni
kapacita
> se dost meni s napetim.
> Pri zbytecnem "prebuzeni" FET pres 10V Ugs se take zbytecne tento naboj
> zvetsuje, nezavisle na dalsich podminkach, a tim se prodluzuje turn-off
delay.
>
> Nevim o jaky FET jde, ale 10mA neni pro dynamicke moc neni.
>
> Danhard
>
>
> > Soustredte se na problem nabijeni vstupni, resp. "Millerovy" (tedy
> > zpetnovazebni) kapacity MOSFETu tim 10mA proudem a zkuste si tam dosadit
> > konkretni cisla - tedy pokud Vam jde o spinaci hranu. Cim je ten proud
> > omezen - odporem v kolektoru toho bipolaru? Rozpinaci hranu by mohl
> > zajistit onen NPN transistor odvadejici naboj z hradla (je na to zname
> > zapojeni, ted nemam cas to hledat ani kreslit).
> >
> > --
> > Jirka
>
>
>
>


------------------------------------------------------------------------------
--


_______________________________________________
HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
HW-list@mailman.nethouse.cz
http://mailman.nethouse.cz/mailman/listinfo/hw-list