Driver P-mosfet tranzistoru

[Danhard]

Jiri, prevazne jde o odvedeni prostoroveho naboje gate, vliv zpetnovazebni
kapacity je jen castecny,
naboj na gate to popisuje celkem dostatecne, jelikoz i zpetnovazebni kapacita
se dost meni s napetim.
Pri zbytecnem "prebuzeni" FET pres 10V Ugs se take zbytecne tento naboj
zvetsuje, nezavisle na dalsich podminkach, a tim se prodluzuje turn-off delay.

Nevim o jaky FET jde, ale 10mA neni pro dynamicke moc neni.

Danhard


> Soustredte se na problem nabijeni vstupni, resp. "Millerovy" (tedy
> zpetnovazebni) kapacity MOSFETu tim 10mA proudem a zkuste si tam dosadit
> konkretni cisla - tedy pokud Vam jde o spinaci hranu. Cim je ten proud
> omezen - odporem v kolektoru toho bipolaru? Rozpinaci hranu by mohl
> zajistit onen NPN transistor odvadejici naboj z hradla (je na to zname
> zapojeni, ted nemam cas to hledat ani kreslit).
>
> --
> Jirka