Velky C v nap. zdroji

[Stanislav Holecek]

Zkuste ten MOSFET budit klasickym totem-pole zapojenim (dvojcinny stupen - v
podstate spojeni dvou emitorovych sledovacu opacneho typu vodivosti, spojene
baze a emitory, kolektor PNP na zem, kolektor NPN na napajeni) - proud je
pak treba pouze ve spickach na nabijeni/vybijeni Cgs a staci dat do serie s
privodem do G omezovaci odpor, aby ten spickovy proud neprestoupil rozumnou
velikost... Mozna by slo pouzit i paralelne spojene CMOSove vykonove budice
4049 ci 4050 - vystup je podobny jako totem-pole; je ale treba posoudit
jejich rychlost a v pripade potreby zvolit verzi HC, tam bude ale zase mozna
problem s velikosti napajeciho napeti versus potrebne buzeni u neLogicLevel
MOSFETu...

Dalsi moznosti je ten bipolar, ktery by taky slo budit totem - pole
zapojenim (ovsem s tim, ze pri aktivni casti pulsu tam tece trvaly bazovy
proud), popr. klasickym stupnem se spolecnym emitorem. Zkusil bych BUT11,
BUT12, BUT56 a podobne bezne dostupne transistory; nejsou sice frekvencne
kdovico (treba BUT56 ma fT cca 10 MHz), ale treba vyhovi. Pripadne najdete
neco v rade 2SCxxxx, je obecne rychlejsi...


Jirka




Puvodni zprava:

Mam dotaz ohledne buzeni tranzistoru mosfet v souvislosti s jiz zminovanym
ultrazvukem. Postavil jsem si generator obdelnihikoveho prubehu, ktery chci
propojit s koncovym stupnem (MOSFET), ktery budi piezo. Bohuzel jsem nenasel
zadny mosfet s malou kapacitou G-S (nebo jsem jen spatne hledal). Vsechny
jsou tak kolem 800pF - 2nF. Problem je , ze pri buzeni frekvenci 2.5MHz
tvori tato impedance asi 63 Ohmu ( pozadovane napeti na dostatecne vybuzeni
tranzistoru potrebuji aspon 6V ) , takze tento tranzistor bych musel budit
proudem pri dane frekvenci kolem 100mA (tj. pridat bipolarni tranzistor
kolektorem na gate a emitorem na source a z kolektoru cca 50 Ohm odpdor na
+12V). Takze pri sepnutem bipolarnim tranzistoru pres nej potece cca 12/50=
240mA :(. Muzete mi nekdo doporucit vhodny bezne sehnatelny bipolar, ktery
by mel kapacitu B-E <100pF a zvladnul proudy kolem 300mA. Nebo existuje
nejaky MOSFET s malou kapacitou G-S, takze by tam stacilo dat jen obycejny
VF bipolarni tranzistor pro male vykony ??