Zahada HDD

[Petr Vasek]

On Tue, 31 Jul 2001, Jaroslav Lukesh wrote:

> | Taky mam ten pocit ze jeste budou problemy :-) 100KHz je na IGBT opravdu
> | dost, ale zaujalo mne na nem velmi nizke Ucesat. Mam jeste v zaloze
> MOSFET
> | a uvidim - IGBT bude mit nizsi saturacni ztraty a vyssi spisnaci, MOSFET
> | na tom bude presne obracene.
> 
> A co mosfety s extra nizkym Rdson?

Hehe ale jake ? Potrebuju tranzistor pro napeti 600V a ten zalozni MOSFET co
mam ma Rdson 0.19R - presto bude mit proti tomu IGBT cca 2x vetsi saturacni
ztraty. Pripada mi ze u MOSFETu na tohle napeti je Rdson 0.19R velmi slusny
parametr, ale jestli vite o nejakem typu ktery splni Uds=600V a bude mit
Rdson pod 0.1R pri Ids=20A dejte mi vedet. Rozhodne by to byla zajimava
varianta proti IGBT. A cena je take velmi dulezitym parametrem :-(


>              Jaroslav Lukesh, K-net

*------------------------------------------------------------------------*
|                          Petr Simek   APS JU                           |
|                             psimek@jcu.cz                              |
*------------------------------------------------------------------------*