OT:Karta pre gamera

[Jindrich Vidensky]

| > | a uvidim - IGBT bude mit nizsi saturacni ztraty a vyssi spisnaci,
MOSFET
| > | na tom bude presne obracene.
| > 
| > A co mosfety s extra nizkym Rdson?
| 
| Hehe ale jake ? Potrebuju tranzistor pro napeti 600V a ten zalozni MOSFET
co
| mam ma Rdson 0.19R - presto bude mit proti tomu IGBT cca 2x vetsi
saturacni
| ztraty. Pripada mi ze u MOSFETu na tohle napeti je Rdson 0.19R velmi
slusny
| parametr, ale jestli vite o nejakem typu ktery splni Uds=600V a bude mit
| Rdson pod 0.1R pri Ids=20A dejte mi vedet. Rozhodne by to byla zajimava
| varianta proti IGBT. A cena je take velmi dulezitym parametrem :-(

Nevim o takovem, vyrobce ST jste zkousel? Delaji nejake specialky.

No to je fakt, pri 20A ma IGBT saturacni napeti jako bipolar, tedy hluboko
<1V, zatimco na mosfetu 0,19R jsou skoro 4V.

A mate osetrene dlouhe vypinaci casy toho IGBT?

Na co to mate? Jestli z toho bude nejaky zesilovac, tak national semi dela
zes ve tride D (170W/4ohm pri 2x22V, driver IC a vykonove tranzistory
samostatne), zrovna jsem si nechal poslat vzorky. Vsechny neduhy prave
osetruje ten driver IC.

Zdravi


             Jaroslav Lukesh, K-net
--------------------------------------------------
               http://www.k-net.cz
      Multimedia, Networking, Communications
              Windows terminals, NC
         computer hardware and software
--------------------------------------------------
             note: Bill Gates to Hell!