Ucinnost spinanych obvodu

[Pavel Rotter]

Dobry den,

porad jeste si nevybavuji presne zapojeni, ktere jste pouzil, ale z toho co
jste popsal vidim jeden dost podstatny problem: na kolektoru MOSFET IRF540
mate napeti +24V a na GATE privadite (teoreticky) urovně 15V, takto nemuzete
nikdy tento typ MOSFET poradne otevrit. Pokud pouzijete tento typ MOSFETu
tak musite zabezpecit aby na GATE bylo vzdy napeti o cca 5V vyssi nez na
kolektoru - treba nabojovou pumpou, nebo pomocnym zdrojem napetí ci jinak.
Poprípade pouzijte tranzistor jiného typu - jiz Vam to zde někdo navrhl....

S pozdravem Pavel Rotter

za NEWTE spol. s r .o.
Jateční 847
415 01 TEPLICE

tel.   0417-440 40
fax:   0417-462 20
eMail: PavelRotter@newte.cz
http://www.newte.cz

> -----Původní zpráva-----
> Od: hw-news@list.gin.cz [mailto:hw-news@list.gin.cz]za uživatele SSOU
> Vodochody s.r.o.
> Odesláno: 17. srpna 2000 14:17
> Komu: Multiple recipients of list
> Předmět: Re: Ucinnost spinanych obvodu

> Z + polu napajeni 24V to jde pres MOSFET IRF540 a tlumivku
> TDK 65uH do +
> polu nabijeneho akumulatoru a z nej pak pres vykonovy Rsense
> na zem. Pred
> tlumivkou je dioda spojena na zem, za tlumivkou je
> 3x330uF/50V elektrolyt
> take na zem.
>
> Z + polu je navic vyrabeno napeti 15V pomoci 7815 pro ridici
> MC34063A. Mezi
> MC34063A a G mosfetu byl pouzit 100R a z G pak vedl 1k na zem
> kvuli vypnuti.
> Jak jste me tu pocili, ucinnost je nizka prave kvuli kapacite
> G mosfetu a
> tedy pouziti rezistoru u ovedenych hodnotach (respektive vubec takove
> zapojeni) je co do ucinnosti blbost.
>
> Zkuste mi nekdo navrhnout konkretni soucastky (tranzistory a ev. dalsi
> pasivni), ktere bych mel zaradit mezi +15V, zem, vystup z MC34063A a G
> mosfetu.
>
> VW