Zenerka na G MOSFETu

[SSOU Vodochody s.r.o.]

Rad bych nadhodil dalsi teoretickou otazku okolo rizeni MOSFETu ve spinanem
obvodu. Stale jeste badam okolo zapojeni nabijecky a chtel bych zkusit
aplikovat neco z toho, co jste mi zde radili. Idea je pomerne jednoducha.
Mosfet bude spinat 30-35V, pricemz tlumivka&spol a 1-12 clanku bude pod
mosfetem (tedy mezi S a GND). Je mi jiz jasne, ze musim pouzit
komplementarni dvojici tranzistoru a spinat stridave Vcc a GND pres cca
22ohm odpor, coz by melo zarucit (1A) snad dostatecnou rychlost sepnuti a
rozepnuti. Problem je v napeti na G, ktere musi byt v rozsahu +-20V, coz by
ale bylo zarucene jen pro urcity rozsah poctu clanku. Pokud bude clanek
pouze 1, pak diky napetovemu spadu by slo na G pres 30V, coz je
neprijatelne. Proto bude zjevne zapotrebi mezi G a S dat zenerku.

Otazka je - na jaky vykon by mela byt dimenzovana ?

Ing. Vlastimil Wagner n.n.n.