Zenerka na G MOSFETu

[Pavel Rotter]

Dobry den,

co se tyka dotazu na ztratovy vykon zenerky plati, ze od napeti na obvodu (u
Vas 30V) odectete napeti zenerky (napr. 12V) dostanete 18V. Pokud mate
predradny odpor 22R tak obvodem protece proud 18:22=0,818A. Tento proud
vynasobite zenerovym napetim a mate ztratu na zenerce 12x0,818=9.818W. Timto
vykonem bude zenerka pulzne namahana, skutecna ztrata bude nizsi, dana
stridou budicich impulzu, presto bych doporucil nekterou z rady 1N63xx (jsou
i rychle).

Pouze si dovolim uporoznit na jeden problem, ktery tu jiz nekdo zmínil. Kdyz
mate pouzit bezny MOSFET jako seriovy spinac, tak na kolektoru mate treba
Vasich 35V, kdyz stejnym napetim vybudite gate tak MOSFET sepne a odpor
kanalu klesne na dejme tomu 0.2 Ohmu. Pri proudu napr. 5A (pulzne) bude na
prechodu kolektor emitor ubytek 1V. Protoze pro otevreni MOSFET (IFR540 jste
tusim pouzil) potrebujete napeti cca 4 až 6V mezi gate a emitorem tak se Vam
MOSFET zcela neotevre (protoze na kolektoru mate 35V a emitor se pri
otevreni priblizi na napeti 35-1=34V, mate pro vybuzeni MOSFET prave tento
1V) na osciloskopu by jste videl, ze pri otevreni, v ramci budiciho impulsu,
ve skutecnosti MOSFET velmi rychle kmita (otevira se a v okmaziku kdy se
otevre, tak se odbudi a tak porad dokola) proto se Vam MOSFET tak hreje.
Reseni je v pouziti nabojove pumpy nebo elegantneji, v pouziti specilaniho
tranzistoru (jak Vam jiz nekdo navrhl) Uf, Uf jiz jsem se vycerpal snad Vam
timto pomohu...

S pozdravem Pavel Rotter

za NEWTE spol. s r .o.
Jateční 847
415 01 TEPLICE

tel.   0417-440 40
fax:   0417-462 20
eMail: PavelRotter@newte.cz
http://www.newte.cz

> -----Původní zpráva-----
> Od: hw-news@list.gin.cz [mailto:hw-news@list.gin.cz]za uživatele SSOU
> Vodochody s.r.o.
> Odesláno: 29. srpna 2000 13:41
> Komu: Multiple recipients of list
> Předmět: Zenerka na G MOSFETu
>
>
> Rad bych nadhodil dalsi teoretickou otazku okolo rizeni
> MOSFETu ve spinanem
> obvodu. Stale jeste badam okolo zapojeni nabijecky a chtel bych zkusit
> aplikovat neco z toho, co jste mi zde radili. Idea je pomerne
> jednoducha.
> Mosfet bude spinat 30-35V, pricemz tlumivka&spol a 1-12
> clanku bude pod
> mosfetem (tedy mezi S a GND). Je mi jiz jasne, ze musim pouzit
> komplementarni dvojici tranzistoru a spinat stridave Vcc a
> GND pres cca
> 22ohm odpor, coz by melo zarucit (1A) snad dostatecnou
> rychlost sepnuti a
> rozepnuti. Problem je v napeti na G, ktere musi byt v rozsahu
> +-20V, coz by
> ale bylo zarucene jen pro urcity rozsah poctu clanku. Pokud
> bude clanek
> pouze 1, pak diky napetovemu spadu by slo na G pres 30V, coz je
> neprijatelne. Proto bude zjevne zapotrebi mezi G a S dat zenerku.
>
> Otazka je - na jaky vykon by mela byt dimenzovana ?
>
> Ing. Vlastimil Wagner n.n.n.
>