Zenerka na G MOSFETu

[SSOU Vodochody s.r.o.]

Diky za radu ohledne vyberu zenerky - jsem ted klidnejsi.

Pokud jde o teorii okolo spinani mosfetu, asi budu vypadat jako hlupak, ale
asi porad nechapu. Moje pokusy s omezenym napetim na G (bylo 15V proti zemi
a tedy pri 2.4V baterce asi 12.6V proti S), pricemz spinano bylo napeti pres
20V, by v takovem pripade nemohly probihat, protoze pokud to chapu dobre,
bylo by mezi G a S i pri pouziti teoreticke baterky 0V (pouzival jsem 2.4V)
nejspis zaporne napeti. Na osciloskopu jsem zadne Vami popsane zvlneni
nepozoroval (pouze zakulaceni hrany, dle ostatnich zde odpovidajicich kolegu
zpusobene nizkym proudem pri spinani a rozpinani). Jedine, co me napada je,
ze je ten osciloskop opravdu muzealni kus a takove zvlneni proste nezobrazi
?

VW

----- Original Message -----
From: Pavel Rotter <PavelRotter@newte.cz>
To: Multiple recipients of list <hw-news@list.gin.cz>
Sent: Wednesday, August 30, 2000 5:59 AM
Subject: RE: Zenerka na G MOSFETu


> Dobry den,
>
> co se tyka dotazu na ztratovy vykon zenerky plati, ze od napeti na obvodu
(u
> Vas 30V) odectete napeti zenerky (napr. 12V) dostanete 18V. Pokud mate
> predradny odpor 22R tak obvodem protece proud 18:22=0,818A. Tento proud
> vynasobite zenerovym napetim a mate ztratu na zenerce 12x0,818=9.818W.
Timto
> vykonem bude zenerka pulzne namahana, skutecna ztrata bude nizsi, dana
> stridou budicich impulzu, presto bych doporucil nekterou z rady 1N63xx
(jsou
> i rychle).
>
> Pouze si dovolim uporoznit na jeden problem, ktery tu jiz nekdo zmínil.
Kdyz
> mate pouzit bezny MOSFET jako seriovy spinac, tak na kolektoru mate treba
> Vasich 35V, kdyz stejnym napetim vybudite gate tak MOSFET sepne a odpor
> kanalu klesne na dejme tomu 0.2 Ohmu. Pri proudu napr. 5A (pulzne) bude na
> prechodu kolektor emitor ubytek 1V. Protoze pro otevreni MOSFET (IFR540
jste
> tusim pouzil) potrebujete napeti cca 4 až 6V mezi gate a emitorem tak se
Vam
> MOSFET zcela neotevre (protoze na kolektoru mate 35V a emitor se pri
> otevreni priblizi na napeti 35-1=34V, mate pro vybuzeni MOSFET prave tento
> 1V) na osciloskopu by jste videl, ze pri otevreni, v ramci budiciho
impulsu,
> ve skutecnosti MOSFET velmi rychle kmita (otevira se a v okmaziku kdy se
> otevre, tak se odbudi a tak porad dokola) proto se Vam MOSFET tak hreje.
> Reseni je v pouziti nabojove pumpy nebo elegantneji, v pouziti specilaniho
> tranzistoru (jak Vam jiz nekdo navrhl) Uf, Uf jiz jsem se vycerpal snad
Vam
> timto pomohu...
>
> S pozdravem Pavel Rotter
>
> za NEWTE spol. s r .o.
> Jateční 847
> 415 01 TEPLICE
>
> tel.   0417-440 40
> fax:   0417-462 20
> eMail: PavelRotter@newte.cz
> http://www.newte.cz
>
> > -----Původní zpráva-----
> > Od: hw-news@list.gin.cz [mailto:hw-news@list.gin.cz]za uživatele SSOU
> > Vodochody s.r.o.
> > Odesláno: 29. srpna 2000 13:41
> > Komu: Multiple recipients of list
> > Předmět: Zenerka na G MOSFETu
> >
> >
> > Rad bych nadhodil dalsi teoretickou otazku okolo rizeni
> > MOSFETu ve spinanem
> > obvodu. Stale jeste badam okolo zapojeni nabijecky a chtel bych zkusit
> > aplikovat neco z toho, co jste mi zde radili. Idea je pomerne
> > jednoducha.
> > Mosfet bude spinat 30-35V, pricemz tlumivka&spol a 1-12
> > clanku bude pod
> > mosfetem (tedy mezi S a GND). Je mi jiz jasne, ze musim pouzit
> > komplementarni dvojici tranzistoru a spinat stridave Vcc a
> > GND pres cca
> > 22ohm odpor, coz by melo zarucit (1A) snad dostatecnou
> > rychlost sepnuti a
> > rozepnuti. Problem je v napeti na G, ktere musi byt v rozsahu
> > +-20V, coz by
> > ale bylo zarucene jen pro urcity rozsah poctu clanku. Pokud
> > bude clanek
> > pouze 1, pak diky napetovemu spadu by slo na G pres 30V, coz je
> > neprijatelne. Proto bude zjevne zapotrebi mezi G a S dat zenerku.
> >
> > Otazka je - na jaky vykon by mela byt dimenzovana ?
> >
> > Ing. Vlastimil Wagner n.n.n.
> >
>
>
>