Zenerka na G MOSFETu

SSOU Vodochody s.r.o. ssouvodochody
Středa Březen 17 11:50:38 CET 2004


Prubnul jsem IRF9530 (P-MOSFET). A vypada to slibne - dik. Nemel by nekdo
tip na dobry P-MOSFET ?
Jde mi predevsim o dostupnost a cenu v kontextu s parametry.
Moje pozadavky by asi vypadaly takto:
- 50V a vice
- rad bych me rezervu na proud (30 A? - takovy mosfety se mi libi ;o) )
- nizky odpor
- dostatecny vykon

Koukal jsem napriklad u Motoroly na MTP30P06V (60V 30A 0.08ohm 125W). Ten
snad myslim nevypada spatne ne ? Jen ta dostupnost - hned tak se nekde bezne
nekoupi. Cena by nemela byt az tak hrozna - neco malo nad dolar.

VW


----- Original Message -----
From: SSOU Vodochody s.r.o. <ssouvodochody@mbox.vol.cz>
To: Multiple recipients of list <hw-news@list.gin.cz>
Sent: Thursday, August 31, 2000 6:54 AM
Subject: Re: Zenerka na G MOSFETu


> Diky, uz mi zacina svitat.
>
> VW
> ----- Original Message -----
> From: Pavel Rotter <PavelRotter@newte.cz>
> To: Multiple recipients of list <hw-news@list.gin.cz>
> Sent: Wednesday, August 30, 2000 3:27 PM
> Subject: RE: Zenerka na G MOSFETu
>
>
> > Dobry den,
> > pokusim se jeste jednou, mate skutecne tranzistor IRF540 ?
> >
> > pokud mate na kolektoru napeti 35V a na emitoru pripojenu zatez, tak pri
> > sepnuti (idelanim sepnuti) je na tranzistoru ubytek 0.077Rx5A=0.385V
> (0.077R
> > je odpor sepnutého kanalu, 5A je proud do zateze) pak se i pri trvalem
> > sepnuti tranzistor temer nehreje je na nem 0.385Vx5A=1.925W. Pokud mate
> > budici napeti pripojene mezi zaporny pol zateze/zdroje a gate je 15V tak
> > pokud je tranzistor rozepnuty, tak je emitor na potencialu blizkem
> zapornemu
> > polu a napeti na gate je blizke 15V. V okamziku sepnuti se na zatezi
> objevi
> > temer plne napeti zdroje, potencial emitoru se priblizi potencialu
> kolektoru
> > a napeti na gate zmizi (MOSFET se dostane misto do spinacího, do
> linearniho
> > rezimu). V praxi ale spije velmi rychle kmita.... Snad jsem to popsal
> dobre,
> > pokud si obvod zjednodusene napalujete tak to bude srozumitelnejsi.
> Seriovy
> > spinac s MOSFET s kanálem N (Vas IRF540) kde na kolektoru je vstup
(+35V)
> a
> > na emitoru vystup (pripojena zatez) nelze dokonale vybudit napetim
vstupu
> > (+35V), ostatne i u tranzistoru NPN bezneho typu by nebyla saturace
> > dokonala, jak jiz nekdo podotkl pouzivaji se tranzistory PNP, nebo
> specialni
> > NPN s malym Usat napr. od ZETEXe...
> >
> > Jeste pripominam, ze napeti nemuzete merit na baterce jak jste se
vyjadril
> > ale na emitoru tranzistoru, t.j. jeste pred tlumivkou....
> >
> > S pozdravem Pavel Rotter
> >
> > za NEWTE spol. s r .o.
> > Jateční 847
> > 415 01 TEPLICE
> >
> > tel.   0417-440 40
> > fax:   0417-462 20
> > eMail: PavelRotter@newte.cz
> > http://www.newte.cz
> >
> >  Moje pokusy s omezenym napetim na G (bylo
> > > 15V proti zemi
> > > a tedy pri 2.4V baterce asi 12.6V proti S), pricemz spinano
> > > bylo napeti pres
> > > 20V, by v takovem pripade nemohly probihat, protoze pokud to
> > > chapu dobre,
> > > bylo by mezi G a S i pri pouziti teoreticke baterky 0V
> > > (pouzival jsem 2.4V)
> > > nejspis zaporne napeti. Na osciloskopu jsem zadne Vami popsane zvlneni
> > > nepozoroval (pouze zakulaceni hrany, dle ostatnich zde
> > > odpovidajicich kolegu
> > > zpusobene nizkym proudem pri spinani a rozpinani). Jedine, co
> > > me napada je,
> > > ze je ten osciloskop opravdu muzealni kus a takove zvlneni
> > > proste nezobrazi
> > > ?
> > >
> > > VW
> >
> >
> >
>
>
>







Další informace o konferenci Hw-list