parovani vykonovych MOS FETu

Petr Gratz xgratz02
Středa Březen 17 11:42:11 CET 2004


Resim problem zda je vhodnejsi zvolit jediny vykonovy MOS FET (min. 150W,
100V, 25A) pro realizaci vykonoveho zesilovace pro nf s klidovym proudem cca
3A nebo pouzit paralelni razeni vice tranzistoru. Pro jediny MOS FET hovori
mensi vstupni kapacita a nenutnost parovani, pro vice paralelne razenych
FETu potom vetsi bezpecnost a snad i zivotnost. Osobne se spise priklanim k
variante s jednim znacne predimenzovanym tranzistorem. Jake jsou Vase nazory
? Jakym zpusobem je nejvhodnejsi parovat vykonove MOS FETy ? Zrejme to bude
nastavenim pracovniho proudu (coz je v mem pripade 3A) a srovnavanim
hradloveho napeti Ugs. Pro pouziti jedineho tranzistoru rovnez hovori
ekonomicke naklady a neni nutno zbytecne porizovat vetsi mnozstvi FETu,
ktere zustanou nevyuzity.
Diky.


Petr Gratz
xgratz02@fest.stud.fee.vutbr.cz
vcelkamaja@email.cz

USMEJ SE, KDYZ ZVEDAS TELEFON. OSOBA NA DRUHEM KONCI TO USLYSI Z TVEHO
HLASU.







Další informace o konferenci Hw-list