parovani vykonovych MOS FETu

[Petr Krc]

Petr Gratz wrote:

> Resim problem zda je vhodnejsi zvolit jediny vykonovy MOS FET (min. 150W,
> 100V, 25A) pro realizaci vykonoveho zesilovace pro nf s klidovym proudem cca
> 3A nebo pouzit paralelni razeni vice tranzistoru. Pro jediny MOS FET hovori
> mensi vstupni kapacita a nenutnost parovani, pro vice paralelne razenych
> FETu potom vetsi bezpecnost a snad i zivotnost. Osobne se spise priklanim k
> variante s jednim znacne predimenzovanym tranzistorem. Jake jsou Vase nazory
> ? Jakym zpusobem je nejvhodnejsi parovat vykonove MOS FETy ? Zrejme to bude
> nastavenim pracovniho proudu (coz je v mem pripade 3A) a srovnavanim
> hradloveho napeti Ugs. 

Zda se ze v pripade paralelniho zapojeni by stacilo pripojit
G kazdeho tranzistoru pres samostatny odpor na budic a pracovni
proud nastavit spolecne pro cely blok.
FETy maji kladny koeficient teplotni zavislosti odporu, takze
ten, kterym potece vetsi proud se sice vice zahreje, tim take
vzroste jeho odpor coz omezi jeho proud.
Ovsem pozor na zaporny koeficient prahoveho napeti - pri zahrati
klesa prahove napeti, takze by se naopak mohl vice otvirat.

Pripadne by mohly pomoci male odpory (< 1 Ohm?) pripojene do obvodu
S kazdeho FETu (pozor na jejich indukcnost).

-- 
Regards
           Petr Krc