<!DOCTYPE html>
<html>
<head>
<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=UTF-8">
</head>
<body>
Avalanche energy je užitečná, pokud se očekává možnost neošetřeného
rozepnutí indukčnosti. Je to energie, kterou v tomhle režimu
garantovaně přežije. Pokud u toho bude dioda, nebo je opravdu hodně
garantován bezindukční charakter zátěže, tak na Eas nezáleží.<br>
<br>
Poznámka k hi-side driverům: Většina, včetně uvedeného, má napájení
horní strany z kondenzátoru, který se nabíjí když je Vs výstupu
blízké GND. Na to je ten R+D na obr.1 nahoře. Nelze je takto
provozovat až do 100% doby sepnutí. Nebo se jim musí zařídit externí
napájení.<br>
<br>
PH<br>
<br>
<div class="moz-cite-prefix">Dne 21.02.2024 v 16:10 Martin Záruba
napsal(a):<br>
</div>
<blockquote type="cite"
cite="mid:13976d17-9539-cb45-ee8e-5ad31599ab48@volny.cz">
<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=UTF-8">
<p><font face="Arial">Mě připadalo 2x18A pro ohmickou zátěž dost
rezerva, ale dám si poradit. Jak moc je důležitá parametr
Avalanche energy? Dost se u podobných typů liší. Jako budič
chci dát </font><a
href="https://www.tme.eu/cz/details/ix2127g/drivery-mosfet-igbt/ixys/"
moz-do-not-send="true">IX2127G IXYS - IC: driver |
high-side,budič hradel; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V | TME
Czech Republic s.r.o. - Elektronické součástky</a> Líbí se mi,
jak je řešená ochrana před přetížením. Zkusil jsem připojit
mosfet přes rezistor 0,1 O na 3,2 LiFePo a na ovládání plynule
zvyšovat napětí. Na D se objevil cca 320 nS pulz, kdy napětí
kleslo na 1,2 V a pak mosfet rozepnul. K novému sepnutí je třeba
vrátit ovladací napětí pod rozhodovací úroveň.<br>
</p>
<pre class="moz-signature" cols="72">Martin Záruba</pre>
<div class="moz-cite-prefix">Dne 21.2.2024 v 15:27 Jan Kuba
napsal(a):<br>
</div>
<blockquote type="cite"
cite="mid:CAD8qwRPAVReKmQiY7QRcXs7qrnJXkmk=9989kAaa+6GDnq2kBA@mail.gmail.com">
<meta http-equiv="content-type"
content="text/html; charset=UTF-8">
Ano, někde jsem teď viděl 8x patalelně. Mě se ale u příkladu zdá
malá napěťová rezerva, nakonec i proudová. Já jsem zvyklý dělat
vše robustní. Vybral bych něco na 150V a proudově alespoň 50A.
Osobně bych tam dal min 2x IRFP 250 , už proto, že je mám v
šuplíku 😉 větší RDS ON neva, bude na něm stejně max 2W. Ale
musínse udělat pořádně driver.<br>
<br>
středa 21. února 2024 Petr Labaj <<a
href="mailto:labaj@volny.cz" target="_blank"
moz-do-not-send="true" class="moz-txt-link-freetext">labaj@volny.cz</a>>
napsal(a):<br>
<blockquote class="gmail_quote"
style="margin:0 0 0
.8ex;border-left:1px #ccc solid;padding-left:1ex">Paralelní
řazení FETů je oblíbený sport.<br>
Je to jedna z výhod FETů, že je lze snadno takto spojovat.<br>
Zcela běžně se to používá. Kdejaký výkonový regulátor nebo
spínač to tak má zapojené.<br>
<br>
PL<br>
<br>
******************<br>
<br>
Dne 21.2.2024 v 10:46 Martin Záruba napsal(a):<br>
<blockquote class="gmail_quote"
style="margin:0 0 0
.8ex;border-left:1px #ccc solid;padding-left:1ex"> Potřebuji
pomocí pwm sovládat odporovou zátěž 80V 25A. Chtěl bych
použít dva AOT290L. Dle DS<br>
<br>
Drain-Source Voltage 100V<br>
<br>
Continuous Drain Current 18A<br>
<br>
RDS(ON) 25stC 3,5 mO<br>
<br>
RDS(ON) 125stC 5,7 mO<br>
<br>
<br>
Myslíte, že mohu prostě spojit dva paralelně? Pokud se jeden
ohřeje víc, měl by Rds stoupnout a proud by převzal druhý.<br>
</blockquote>
</blockquote>
</blockquote>
</blockquote>
</body>
</html>