<html>
<head>
<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=UTF-8">
</head>
<body>
MOSFETů schopných spínat pár V tak rychle, že se k tomu už špatně
hledá rychlej driver co to využije, je spousta. Takže tady se
dostáváme do situace, že spínací ztráty jsou naprosto minimální a
frekvenci musíme snížit jen proto, aby zůstala rozumná magnetizace
trafa.<br>
<br>
Potřebuju výkon -> větší trafo -> je malá magnetizace ->
snížit f -> potřebuje ještě větší trafo -> je malá magnetizace
-> snížit f ... hurá! vyřešeno ... je to je trafo jak kráva.<br>
<br>
Tzn. všechno vychází na super účinnost při 0,3-1 MHz, ale kvůli
trafu bude 10-30 kHz. K tomu potřebuju tak velký C, že už nestačej
keramiky, takže tam budou elyty a ztráty budou kvůli nim vyšší. A
ještě to bude drahý, protože poskládat elyty na "ripple current"
třeba 20 A něco stojí. A to všecho pak třeba krát 10.<br>
<br>
Otázka je, jestli se nedělá jádro vhodný přesně pro tyhle účely, any
mělo vysokou vazbu jako toroid, výkonovou použitelnost, ale malý AL.<br>
<br>
Ono by to v podstatě splnilo ňáký E pro flyback, jenže jen za
předpokladu, že se tam provedou "antirozptylové" opatření, co se
běžně v těch flybackách dělají. Jenže to je dost nekompatibilní s
velkým počtem jednozávitových vinutí, na což se v podstatě
geometricky hodí jen toroidy.<br>
<br>
Možná rozřezat toroid a složit s vhodnými mezerami?<br>
<br>
PH<br>
<br>
<div class="moz-cite-prefix">Dne 16.04.2023 v 9:18 Martin Záruba
napsal(a):<br>
</div>
<blockquote type="cite"
cite="mid:c4579008-c294-4780-8f93-c8bf262de0b3@volny.cz">
<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=UTF-8">
<p><font face="Arial">Úplně jsem nepochopil Vaši odpověď. Jestliže
píšete "</font><font face="Arial">u velkýho se musí jít s f
dolů", tak to je snad spíš (v rozumných mezích) žádoucí, ne?
Minimálně klesnou ztráty z nabíjení a vybíjení G mosfetů
a/nebo zmenší se % doby, kdy mosfet není zcela otevřený nebo
zavřený a tím i jeho oteplení.</font><br>
</p>
<pre class="moz-signature" cols="72">Martin Záruba</pre>
<div class="moz-cite-prefix">Dne 14.4.2023 v 10:43 Pavel Hudeček
napsal(a):<br>
</div>
<blockquote type="cite"
cite="mid:040bbf41-05ce-2e4f-8e5c-6378a8a46f2c@seznam.cz">
<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html;
charset=UTF-8">
U stacionárního řešení je výrazně příznivější situace.<br>
+ Je místo na tlustý dráty a velký kondíky okolo trafa.<br>
+ Nevadí velikost trafa, takže lze jít s frekvencí dolů.<br>
<br>
Ta frekvence je jinak právě s rostoucím výkonem problém. U
malýho trafa jde mít stovky kHz a 3 V/závit, u velkýho se musí
jít s f dolů, protože když vyjde 25 V/z a reálně tam budou 3,
bude malé sycení = vysokej vnitřní odpor.<br>
<br>
PH<br>
<br>
<div class="moz-cite-prefix">Dne 14.04.2023 v 8:26 Martin Záruba
napsal(a):<br>
</div>
<blockquote type="cite"
cite="mid:20536a6b-a4e4-23b1-bdda-31367cd9d1ce@volny.cz">
<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html;
charset=UTF-8">
<p><font face="Arial">A proč se Vám 1. nelíbí?</font></p>
<p><font face="Arial">A měl byste jiný názor, pokud by šlo o
stacionární baterii, kde velikost/váha trafa není
důležitá?</font><br>
</p>
<p>Martin Záruba</p>
<div class="moz-cite-prefix">Dne 14.4.2023 v 1:02 Pavel
Hudeček napsal(a):<br>
</div>
<blockquote type="cite"
cite="mid:5038da68-cb4c-3ed2-5088-a2945594add3@seznam.cz">Takže
ano, zjistil jsem, proč se to tak nedělá: <br>
(tedy proč se nedělají aktivní balancery do koloběžek a
elektrokol, schopné přenášet plný proud) <br>
<br>
1. Trafo s mnoha vinutími: <br>
+ Jedno ze 2 docela jednoduchých řešení <br>
- Od všech článků musí vést nízkoimpedanční vývody na jedno
místo. Problém v dlouhém prostoru. <br>
<br>
2. Step-upy z každého článku ven: <br>
+ Jediný dlouhý a silný dráty jsou od konců baterky. <br>
+ Nízkoimpedanční části jsou jen moduly těsně u článků. <br>
- Jednoznačně nejsložitější a materiálově nejdražší. <br>
- Milion ďáblíků co se skrývaj v detailech, většina popsána
v předchozích zprávách. K tomu přibylo, že pokud se použije
nahoře P-MOSFET, automotive, do 10 mΩ, od 20 A, od 55 V, do
20 ns rise+fall, tak řešení začíná na 3 ks paralelně. <br>
<br>
3. Přenášení náboje s pomocí velkého kondenzátoru: <br>
+ Jediný dlouhý a silný dráty jsou od C do všech modulů u
článků. <br>
+ Žádný velký rychlosti. <br>
- Na každý článek 4 MOSFETy s dost malým Rds. <br>
- Kromě rychlolsti podobně bláznivé nároky na ovládání
MOSFETů, jako 2. <br>
- Reálně stíhá max. jeden vadný článek. Zvýšení na N znamená
počet MOSFETů krát N, nebo N-násobné zvětšení pracovního
proudu, dostáváme se tedy do extra nízkoimpedanční oblasti s
nehoráznými nároky mj. na ESL cesty k C. <br>
<br>
4. Odpojení a přemostění vybitého/nabitého článku: <br>
+ Jediný způsob, kde se vůbec neřeší rychlost, ani
indukčnosti vedení. <br>
+ Celkově jednoduché. <br>
- Vyžaduje spolupráci s nabíječkou i a hlídačem vybití.
Nevadí při implementaci ze strany výrobce zařízení. <br>
- Odpojovacím prvkem prochází celý proud, úbytek na něm má
vliv na účinnost samotné baterie, i když nevyžaduje
intervenci. <br>
- Přemosťující prvek je zároveň autodestrukční prvek.
Tipuju, že by v návodu bylo přísně zakázáno skladovat kola,
koloběžky a baterky doma, nebo by byly 3x dražší. <br>
* Možná se toho moc bojím, třeba by stačilo k tomu
přemosťujícímu tranzistoru dát pojistku na docela malé
napětí, která nemusí mít velkej odpor ani rozměry. A taky
implementovat čistě HW blokování aby nešlo přemostit bez
odpojení. <br>
<br>
Takže proto se řešení 4 jako jediné reálně používá, ale jen
u venku skladovaných, sdílených koloběžek, kde si kupující
dokáže spočítat, že se mu vyplatí si připlatit. A mohly by
ho mít i elektromobily. <br>
<br>
2 bych stále považoval za reálné postavit, ale ta složitost
je odrazující. <br>
Je otázka, jak moc 3 dokáže prodloužit životnost baterie,
možná to zkusím. <br>
Bohužel i 3 je dost potenciálně autodestrukční, nevíc bez
možnosti snadno implementovat blokování. </blockquote>
</blockquote>
</blockquote>
</blockquote>
</body>
</html>