<HTML><HEAD></HEAD>
<BODY dir=ltr>
<DIV dir=ltr>
<DIV style="FONT-SIZE: 12pt; FONT-FAMILY: 'Calibri'; COLOR: #000000">
<DIV>Typické řešení té nábojové pumpy je jedna dioda, která nabíjí blokovací
kondík u napájení horní strany, kdykoli je dolní strana sepnutá. Na 48 V může
být klidně i v SOT23:-)</DIV>
<DIV> </DIV>
<DIV>Ten hip4080 má navíc ještě nějakou další, aby se dalo udržet sepnutí horní
strany po dlouhou dobu. Pokud nepotřebujete trvalé sepnutí horní strany, není to
potřeba. Jen na tu malou frekvenci bude potřeba větší kapacita (a k diodě odpor,
aby neshořela).</DIV>
<DIV> </DIV>
<DIV>Hlavní práce je přenos informace k ovládání toho spínání. Nejjednodušší,
ale drahé řešení je třeba rychlá verze ADUM. Výhoda je taky nízké pouzdro. Já
obvykle používal fotodiodové optočleny, třeba 6N137. A dával jsem je nahoru i
dolů, což jednak vede ke stejnému zpoždění a taky se tím usnadní návrh desky,
protože pak nijak zvlášť nezáleží na kvalitě propojení GND řídící a výkonové
části.</DIV>
<DIV
style='FONT-SIZE: small; TEXT-DECORATION: none; FONT-FAMILY: "Calibri"; FONT-WEIGHT: normal; COLOR: #000000; FONT-STYLE: normal; DISPLAY: inline'>
<DIV style="FONT: 10pt tahoma">
<DIV><FONT size=3 face=Calibri></FONT> </DIV>
<DIV><FONT size=3 face=Calibri>PH</FONT></DIV>
<DIV><FONT size=3 face=Calibri></FONT> </DIV>
<DIV style="BACKGROUND: #f5f5f5">
<DIV style="font-color: black"><B>From:</B> <A title=ludek.drtil@seznam.cz
href="mailto:ludek.drtil@seznam.cz">ludek.drtil@seznam.cz</A> </DIV>
<DIV><B>Sent:</B> Friday, October 27, 2017 12:55 PM</DIV>
<DIV><B>To:</B> <A title=hw-list@list.hw.cz
href="mailto:hw-list@list.hw.cz">hw-list@list.hw.cz</A> </DIV>
<DIV><B>Subject:</B> Re: H bridge a spinani MOSFET?</DIV></DIV></DIV>
<DIV> </DIV></DIV>
<DIV
style='FONT-SIZE: small; TEXT-DECORATION: none; FONT-FAMILY: "Calibri"; FONT-WEIGHT: normal; COLOR: #000000; FONT-STYLE: normal; DISPLAY: inline'>
<BLOCKQUOTE data-email="ludek.drtil@seznam.cz"></BLOCKQUOTE>
<P>No prave, ja se zamiloval do 1mm vysokých, lepe receno placatých
SMD pouzder MOSFETU s proudy kolem 300A, které umožnuji vse zalit do vyfrezovane
diry v kusu hliniku a mit kompaktni reseni, coz hati jak budici trafa tak reseni
s externimi nabojovymi pumpamy pro buzeni hornich MOSFETU. </P>
<P>Proto se mi libilo integrovane reseni třeba jako hip4080 / 1 , buhuzel jsou
jen 2.5 A a to symetricky i vybijeni, mají sice interni dead time zpozdovaci
linku, ale ta je jen do 110ns</P>
<P>a takove tranzistorove obludy jako Infineon IPT012N08N5 mají jen Turn-off
delay time 82ns dano somotnym odporem Gate 1,8Ohmu, pokud se k tomu pridaji
4Ohmy odporu vypínacího tranzistoru v budici je to v .....</P>
<P>Tento nedostatek jde obejit rizenim pomoci 4 dratu, ale i tak se nic nezmeni
na faktu ze je prepinani relativne pomale.</P>
<P> </P>
<P>Pokud vite o nejakem vzorovem reseni rad se poucim, ale trafum bych se
rad vyhnul. </P>
<P>L.</P><FONT size=2 face=Aeupec2>
<P> </P></FONT>
<P><FONT size=2 face=Aeupec2></FONT> </P>
<P> </P>
<BLOCKQUOTE data-email="ludek.drtil@seznam.cz">Např. UCC275x mají nabíjení 4 a
vybíjení 8 A<BR>Ixys dělá i drivery 10/10 A, nebo tak nějak<BR><BR>Ale není to
integrovaný polomost. To si už musíte pořešit sám. Párkrát jsem to dělal a
vyzkoušená řešení jsou:<BR><BR>- Fotodiodové optočleny<BR>- Trafíčko<BR>-
Všechny drivery dole a budící trafo. Ale je pak dost velké.<BR><BR>EMC nemusí
být problém ani s krátkými časy, ale chce to si hodně pohrát s tím, kudy a jak
vedou spoje a tak podobně. Na 48 V nic hrozného.<BR><BR>Peklo nastává při kV a
sériovém řazení tranzistorů. To pak snadno i pomalý měnič s malou frekvencí
ruší na GHz:-)<BR><BR>PH<BR><BR><BR>From: <A
href="http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list"><FONT
color=#0066cc>ludek.drtil na seznam.cz</FONT></A> <BR>Sent: Wednesday, October
25, 2017 7:34 PM<BR>To: <A
href="http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list"><FONT color=#0066cc>hw-list
na list.hw.cz</FONT></A> <BR>Subject: H bridge a spinani
MOSFET?<BR><BR>Potrebuji vytvořit H mustek pro spinani 2 - 150A (48V),
nepotrebuji zadne velke spinaci frekvence radove max 700Hz , ale rad bych co
nejrychlejsi prepinani na polomostu ,aby se minimalizovaly zraty a hlavne
mrtvy cas pri spinani.<BR>Celkem dnes neni problem najit velky MOSFET,
ktery zvladne realne i 300A s odporem kolem 1mOhmu. , trochu hrosi je to
s budicem pro takovy mustek.<BR><BR>Nasel jsem nekolik obvodu pro rizeni H
mustku s integrovanou nabojovou pumpou,ale maji driivery s proudy 2 až
3A.. MOSFETY pro velke proudy vyzaduji pro sepnuti naboj kolem 200nC a maji
kapacitu cca13nF.<BR>Zkusil jsem simulovat nabijeni a vybijeni velkeho MOSFETU
proudem 2,5A a vychazi mi podle velikosti prochazejiciho proudu:<BR>Spinaci
cas pro zapnuti 100-200ns<BR>Spinaci cas pro rozepnutí 250-500ns
(pro 1A dokonce 650 ns)<BR><BR>nabijeni 2,5A zdrojem 12V přes
odpor 5.6 Ohmu <BR>Vybijeni pres stejny odpror s antiparalelne zapojenou
diodou. <BR><BR>Prijde mi to jako relatrivne pomale, aby nedochazelo ke
zkratum na polomostu vyzaduje akce na jedne strane polomostu cca
700-800ns.<BR>Me otazky existuji integrovame budice s nabojovou pumpou, ktere
by mel vyrazne vyssi budici poud , rekneme 7-8A?<BR>Pripadne uvitam odkaz an
reseni mustku s velkymi tranzistory a ne plne integrovanym resenim.<BR>Cim
rychlejsi spinani a rozpinani velkych proudu tim vetsi ruseni, jde nejak
obecne rici na jakou rychlost se jde dostat a pritom mit rozumne
EMC?<BR>------------- další část ---------------<BR>HTML příloha byla
odstraněna...<BR>URL: <<A
href="http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20171026/84d52cd9/attachment.html"><FONT
color=#0066cc>http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20171026/84d52cd9/attachment.html</FONT></A>><BR><BR></BLOCKQUOTE>
<P>
<HR>
_______________________________________________<BR>HW-list mailing list
- sponsored by
www.HW.cz<BR>Hw-list@list.hw.cz<BR>http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list<BR></DIV></DIV></DIV></BODY></HTML>