Ono asi jde hlavne o ten prosakovany proud, &nbsp;Drain Leakage current OFF 10nA , Gate Leakage current 10pA <br />
<br />
Mala kapacita G asi neni rozhodujici,ale nejspise bude funkci toho prosakovani, u originalu je tusim 5pF<br />
Napeti 20-30V.<br />
T slouzi k zkratovani C u nejakeho fA zesilovaci co to je.<br />
<br />
Dik<br />
Pavel<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
&gt;Jak presne je velka pidikapacita a pidiprosakovani? Jsou to ty hlavni<br />
parametry pro nahradu?<br />
Jake parametry maji tedy prioritu?<br />
<br />
PK<br />
<br />
<br />
2010/10/6 Pavel Dolnsky &lt;<a href="http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list">p.dolnsky na atlas.cz</a>&gt;:<br />
&gt;<em><br />
</em>&gt;<em> Poradite cim nahradit tento tranzistor, tedy NMOSFET s vyvedenym C, pidi kapacitou a pidi prosakovanim?<br />
</em>&gt;<em> Idealni by bylo neco v SMD provedeni<br />
</em>&gt;<em><br />
</em>&gt;<em> Dekuji<br />
</em>&gt;<em><br />
</em>&gt;<em> Pavel<br />
</em>