Re: Spínání indukční cívky

[Pavel Hudecek]

Taktak, samozřejmě lze vzít MH7400, signál zesílit KF508, pak ještě nějaké KU a nakonec SU161. Ale proč to dělat v roce 2018? :-)

Nechme tyhle krámy ve století, do kterého patřily.
K MCU se připojí Ecospark IGBT a je vystaráno.

Nebo když z minulého století, tak nechat IRF840 a budit z UC3845 a aspoň to nezničí baterku až bude vybitá.

PH

From: Jaroslav Buchta 
No tyhle stredoveke tranzistory bych dnes uz radsi vynechal, spatne se shani, pracovaly vetsinou na hranici svych moznosti a kvalita spinani taky nic moc - velke ubytky, velke budici proudy, saturace...
IGBT bude funkcne o galaxii jinde. Proc to nepouzit, kdyz uz mame ten pokrok ;-)


Dne 20.11.2018 v 16:11 Radek Sztwiorok napsal(a):

  SU160 fungoval krásně pokud to je do zapalování na něco staršího. 
  To byly časy 
  Jinak jak psal kolega všude cpou IGBT prvky.




  út 20. 11. 2018 12:48 odesílatel Martin Hanek <martin na hanek.net> napsal:

    Případně BU931T nebo BU323Z, které jsou určené do zapalování.

Martin HanekDne 20.11.2018 v 12:26 Tomas Chvatal napsal(a):

      S buzenim z 5V a zapal.civkou bych pouzil nejaky tranzistor IGBT. 
      Hledat napr. "ecoSpark" apod. 
      https://cz.mouser.com/Search/Refine.aspx?Keyword=ecospark 

      s přáním hezkého dne / best regards 
      Tomáš Chvátal 
      tchvatal na fordiag.cz 


      ----- Původní zpráva ----- Od: "snail" mailto:snail na snailinstruments.com 
      Komu: mailto:hw-list na list.hw.cz 
      Odesláno: 20. listopadu 2018 12:07 
      Předmět: Spínání indukční cívky 



        Zase dotaz na ochranné obvody. Jestli si funkci představuji správně, v tomto zapojení: 

        http://paja-trb.cz/konstrukce/ohradnik.html 

        se pulsem přes tranzistor IRF840 pustí proud do cívky (omezeno jejím odporem a indukčností, časová konstanta L/R), po vypnutí tranzistoru zafunguje sériový rezonanční obvod s C4 ovšem utlumený v jedné polaritě diodou D3. D3 je paralelně k vnitřní diodě T1, její funkce je spíše symbolická. 

        Dotazy: 
        Na drainu T1 může napětí nakmitat na stovky voltů, takže typ tranzistoru s Uds 500V je na místě. 
        Žádné další ochranné obvody nepřidávat, LC obvod musí kmitat. 
        Při buzení z 5V procesoru se bude IRF840 otvírat pomaleji, možná bude i nedostatečně otevřen a výkonová ztráta na něm bude narůstat. 
        Dělají se tranzistory s Uds okolo 500V a 5V gatem? (tj. prahové napětí kolem 2V)? 
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20181120/77936d91/attachment.html>