Mosfet TO220 - 50A

[Pavel Hudecek]

Důležitý je vzorec

E = 1/2*L*I^2

V DS je Eas 60 mJ, takže v prvním přiblížení můžeme tvrdit, že při 50 A může 
tranzistor bezpečně požrat energii ze 48 uH.

Pak se k tomu přidají ty ns a zjistíme, že čím víc jich bude, tím větší kus 
z Eas ukousnou vypínací ztráty. Tzn. čím méně ns, tím lépe.

Dále ještě zjistíme, že ta indukčnost je v sérii se zdrojem, takže 
tranzistor bude nucen sežrat víc energie. Výsledkem je zjištění, že je dobré 
mít vyšší UdsMax, protože výkon pálený tranzistorem bude UdsMax*I a čím 
větší procento z toho je Uzdroje, tím je energie víc navýšena. Pokud je ale 
za tím C, bude se při rozpínání přidávat jen malinký rostoucí rozdíl před a 
za T.

Zajímavá je situace při spínání: Tam indukčnost naopak pomůže, protože pokud 
se bude tranzistor otvírat rychleji, než jak by měl při daném napětí růst 
proud indukčností, zapínací ztráty se místo ohřívání čipu naakumulují do 
indukčnosti. To je velmi užitečné zejména pokud je na výstupu C, který 
způsobuje, že náběhový proud je mnohonásobkem pracovního.

Pak se vlastně hodí buď co nejrychlejší, nebo naopak hodně pomalé spínání. 
Ale to pomalé jen za předpokladu, že spotřebič nezačne ihned žrát významný 
proud.

PH

-----Původní zpráva----- 
From: gatilo
Pocitat se mi to nechce, ale i odhadem si troufam tvrdit, ze pri 50A a
10 ns, predstavuje i kus dratu, indukcnost vetsi nez zcela
zanedbatelnou. Takze s tim nestaranim se, bych byl radej trochu
opatrnej.

--
Pavel Hudecek napsal:

> Ještě poznámka:

> Např. tenhle SMD tranzistor za 13 Kč by to zvládnul:
> http://www.tme.eu/cz/Document/477381306901b8ef5b83466f8369390e/IPD050N03LG-DTE.pdf

> Všimněte si grafu SOA (obr. 3). Jak je zvenku ohraničen Umax a pulzním 
> Imax,
> tak je vidět, že pro jakékoli časy pod 1 us (přesně na rohu) není možné 
> SOA
> nedodržet, pokud jen dodržíte Umax a Imax. to je důvod, proč se o to při
> spínání nemusíte starat (Ton/off jsou pod 10 ns).

> Zároveň je tam na DC vidět, že nožičky asi nad 50 A nesnesou.