Tranzistor Sanyo T2SA2039 / 2SC5706

[Jiří Vesecký]

Díky, zas tak strašné to není. Tyhle exoti jsou někdy i za 20-40tis.
Ale nevím maximální proud píšou jen Id"trvalý proud" 2,4A.
Peak jsem nenašel, potřebuji velký peak proud třeba 1000A a víc na 3ns.

Děkuji za dobrý typ.

Dne 30.9.2016 v 13:38 Jirka Mww napsal(a):
> Třeba tohle od NXP :
>
> MRF1K50
>
>
> ale nedoplatíte se.
> Zdravi
> Jirka Sloupenský  OK1MWW
>
>
> 2016-09-28 5:38 GMT+02:00 Jiří Vesecký <hv-news na seznam.cz>:
>> Dobrý den.
>> Nevěděl by někdo poradit něco podobného ale výkonnějšího.
>> Větší Ic a co možná nejrychlejší spínání tento je něco kolem 400Mhz.
>> Potřebuji pro krátké pulsy se střídou kolem 1:1 a nejlépe pod 30ns.
>> To bude asi problém něco najít.
>>
>> Díky Jirka.
>>
>>
>> Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
>> Collector-to-Base Voltage VCBO (--50)80 V
>> Collector-to-Emitter Voltage VCES (--50)80 V
>> Collector-to-Emitter Voltage VCEO (--)50 V
>> Emitter-to-Base Voltage VEBO (--)6 V
>> Collector Current IC (--)5 A
>> Collector Current (Pulse) ICP (--)7.5 A
>> Base Current IB (--)1.2 A
>> Collector Dissipation PC
>> 0.8 W
>> Tc=25°C 15 W
>> Junction Temperature Tj 150 °C
>> Storage Temperature Tstg --55 to +150 °C
>> Electrical Characteristics at Ta=25°C
>> Ratings
>> Parameter Symbol Conditions
>> min typ max
>> Unit
>> Collector Cutoff Current ICBO VCB=(--)40V, IE=0 (--)1 mA
>> Emitter Cutoff Current IEBO VEB=(--)4V, IC=0 (--)1 mA
>> DC Current Gain hFE VCE=(--)2V, IC=(--)500mA 200 560
>> Gain-Bandwidth Product fT VCE=(--)10V, IC=(--)500mA (360)400 MHz
>> Output Capacitance Cob VCB=(--)10V, f=1MHz (24)15 pF
>> Collector-to-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)
>> IC=(--)1A, IB=(--)50mA (--115)90 (--195)135 mV
>> IC=(--)2A, IB=(--)100mA (--255)160 (--430)240 mV
>> Base-to-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC=(--)2A, IB=(--)100mA (--)0.89
>> (--)1.2 V
>> Collector-to-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC=(--)10mA, IE=0 (--50)80 V
>> Collector-to-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CES IC=(--)100mA, RBE=0 (--50)80
>> V
>> Collector-to-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC=(--)1mA, RBE=¥ (--)50 V
>> Emitter-to-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE=(--)10mA, IC=0 (--)6 V
>> Turn-On Time ton See specified test circuit. (30)35 ns
>> Storage Time tstg See specified test circuit. (230)300 ns
>> Fall Time tf See specified test circuit. (15)20 ns
>>
>>
>> _______________________________________________
>> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
>> Hw-list na list.hw.cz
>> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>>
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list