Fwd: Tranzistor Sanyo T2SA2039 / 2SC5706

[Jiří Vesecký]

_Dobrý den._
Nevěděl by někdo poradit něco podobného ale výkonnějšího.
Větší Ic a co možná nejrychlejší spínání tento je něco kolem 400Mhz.
Potřebuji pro krátké pulsy se střídou kolem 1:1 a nejlépe pod 30ns.
To bude asi problém něco najít.

Díky Jirka.


Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO (--50)80 V
Collector-to-Emitter Voltage VCES (--50)80 V
Collector-to-Emitter Voltage VCEO (--)50 V
Emitter-to-Base Voltage VEBO (--)6 V
Collector Current IC (--)5 A
Collector Current (Pulse) ICP (--)7.5 A
Base Current IB (--)1.2 A
Collector Dissipation PC
0.8 W
Tc=25°C 15 W
Junction Temperature Tj 150 °C
Storage Temperature Tstg --55 to +150 °C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter Symbol Conditions
min typ max
Unit
Collector Cutoff Current ICBO VCB=(--)40V, IE=0 (--)1 mA
Emitter Cutoff Current IEBO VEB=(--)4V, IC=0 (--)1 mA
DC Current Gain hFE VCE=(--)2V, IC=(--)500mA 200 560
Gain-Bandwidth Product fT VCE=(--)10V, IC=(--)500mA (360)400 MHz
Output Capacitance Cob VCB=(--)10V, f=1MHz (24)15 pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA (--115)90 (--195)135 mV
IC=(--)2A, IB=(--)100mA (--255)160 (--430)240 mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC=(--)2A, IB=(--)100mA 
(--)0.89 (--)1.2 V
Collector-to-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC=(--)10mA, IE=0 (--50)80 V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CES IC=(--)100mA, RBE=0 
(--50)80 V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC=(--)1mA, RBE=¥ (--)50 V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE=(--)10mA, IC=0 (--)6 V
Turn-On Time ton See specified test circuit. (30)35 ns
Storage Time tstg See specified test circuit. (230)300 ns
Fall Time tf See specified test circuit. (15)20 ns

------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20160928/34a63f2c/attachment.html>