mohlo by nekoho zajimat

Vláďa Anděl vaelektronik na vaelektronik.cz
Pondělí Březen 30 16:11:51 CEST 2015


Tehdy jsem to zbastlil narychlo, co to mělo dělat to dělalo a měl jsem 
osciloskop jen do 20 MHz a paměťák dokonce jen do 10 :-) tak to vlastně 
podle všeho dostupného chodilo dobře :-) Teď jsem na to kouknul 200 MHz 
osciloskopem a nestačil jsem se divit :-)

Dne 30.3.2015 v 13:59 Jirka napsal(a):
> K tomu jen jedna poznamka:
>
> nikdy bych si nedovolil budit rychly vykonovy MOSFET takhle dlouhym 
> "nejakym" vedenim...
>
> Ze se to nebude chovat jako kus dratu, nybrz vedeni s rozprostrenymi 
> parametry, je jasne uz "od boku" vzhledem k potrebne strmosti hrany a 
> tim i frekvencni charakteristice...
>
> Holt obousmerna transformace mezi frekvencni a casovou oblasti neni v 
> teorii obvodu nadavka ;-)
>
> Ne ze bych to dnes matematicky zvladal - no a prave proto tim vic 
> respektuju (obcas az prehnane) to, co pan Buh fyzikalne na samem 
> pocatku stanovil. Tedy presneji receno: alespon se snazim, obcas ale 
> nejakou tu cunarnicku vyprodukuju, at uz ve spechu ci z neznalosti ;-)
>
> -- 
> Jirka
>
>> Tentokrát si dovolím přílohu. Vyhrabal jsem ze šuplíku udělátko, kterým
>> jsem před lety měřil indukčnost a proud nasycení tlumivek. Deska s 10x
>> IRF1405, k tomu dobastlená destička která tam dá impulz 10 ms a nějaké
>> staré low esr elity. Na měřené indukčnosti při konstantním napětí
>> narůstá proud a po nasycení narůstá rychleji. V maximu při napájení 10V
>> je proud cca 2,5 KA. Pro měření proudu je "bezindukční" odpor 2 mOhmy.
>>
>> Chtěl jsem vědět, při jakém proudu se nasytí EMI jádro, co se navléká na
>> kabel. Celý přípravek jsem měl prodrátovaný asi 30 cm šňůrama, kde dráty
>> byly svázané, aby byla minimální indukčnost. Tehdy jsem na tom zkoušel
>> tlumivky cca 20uH a tam mi to něco ukazovalo. Teď jsem měl indukčnost
>> řádově menší.
>>
>> Zjistil jsem, že na těch 30 cm drátu mezi budičem a G FETů (kapacita cca
>> 50 nF) je na každém konci úplně něco jiného. Na vstupu hrana cca 20 ns,
>> na druhé straně má 500 ns. Dal jsem tam stíněný mikrofonní kabílek a
>> nebylo to o moc lepší. Až svazek čtyř drátů s navlečenou punčoškou z
>> koaxu dobu sepnutí podstatně snížil. Tranzistory sepnou za 30 ns, plné
>> řídící napětí je tam za 100 ns.
>>
>> Pak jsem zjistil, že i souběžně vedené dráty mají indukčnost cca 0,375
>> uH, která mi vadí. Předrátováním desky přímo nad kondenzátory a
>> rozvedením proudu paralelními vodiči "do šířky" jsem se dostal na 
>> 0,15 uH.
>>
>> To EMI jádro (D=16/9, l=28) se při 2 závitech přesytí při 3A a má 5,6
>> uH. Velké E jádro se při 5 závitech přesytí při 100A.
>>
>> Hračku jsem zase uložil do šuplíku :-)
>>
>> Anděl
>
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>



Další informace o konferenci Hw-list