mohlo by nekoho zajimat

Jirka zaloha na volny.cz
Pondělí Březen 30 13:59:23 CEST 2015


K tomu jen jedna poznamka:

nikdy bych si nedovolil budit rychly vykonovy MOSFET takhle dlouhym 
"nejakym" vedenim...

Ze se to nebude chovat jako kus dratu, nybrz vedeni s rozprostrenymi 
parametry, je jasne uz "od boku" vzhledem k potrebne strmosti hrany a 
tim i frekvencni charakteristice...

Holt obousmerna transformace mezi frekvencni a casovou oblasti neni v 
teorii obvodu nadavka ;-)

Ne ze bych to dnes matematicky zvladal - no a prave proto tim vic 
respektuju (obcas az prehnane) to, co pan Buh fyzikalne na samem pocatku 
stanovil. Tedy presneji receno: alespon se snazim, obcas ale nejakou tu 
cunarnicku vyprodukuju, at uz ve spechu ci z neznalosti ;-)

--
Jirka

> Tentokrát si dovolím přílohu. Vyhrabal jsem ze šuplíku udělátko, kterým
> jsem před lety měřil indukčnost a proud nasycení tlumivek. Deska s 10x
> IRF1405, k tomu dobastlená destička která tam dá impulz 10 ms a nějaké
> staré low esr elity. Na měřené indukčnosti při konstantním napětí
> narůstá proud a po nasycení narůstá rychleji. V maximu při napájení 10V
> je proud cca 2,5 KA. Pro měření proudu je "bezindukční" odpor 2 mOhmy.
>
> Chtěl jsem vědět, při jakém proudu se nasytí EMI jádro, co se navléká na
> kabel. Celý přípravek jsem měl prodrátovaný asi 30 cm šňůrama, kde dráty
> byly svázané, aby byla minimální indukčnost. Tehdy jsem na tom zkoušel
> tlumivky cca 20uH a tam mi to něco ukazovalo. Teď jsem měl indukčnost
> řádově menší.
>
> Zjistil jsem, že na těch 30 cm drátu mezi budičem a G FETů (kapacita cca
> 50 nF) je na každém konci úplně něco jiného. Na vstupu hrana cca 20 ns,
> na druhé straně má 500 ns. Dal jsem tam stíněný mikrofonní kabílek a
> nebylo to o moc lepší. Až svazek čtyř drátů s navlečenou punčoškou z
> koaxu dobu sepnutí podstatně snížil. Tranzistory sepnou za 30 ns, plné
> řídící napětí je tam za 100 ns.
>
> Pak jsem zjistil, že i souběžně vedené dráty mají indukčnost cca 0,375
> uH, která mi vadí. Předrátováním desky přímo nad kondenzátory a
> rozvedením proudu paralelními vodiči "do šířky" jsem se dostal na 0,15 uH.
>
> To EMI jádro (D=16/9, l=28) se při 2 závitech přesytí při 3A a má 5,6
> uH. Velké E jádro se při 5 závitech přesytí při 100A.
>
> Hračku jsem zase uložil do šuplíku :-)
>
> Anděl



Další informace o konferenci Hw-list