Tesla Rožnov - vystava

[Jan Waclawek]

> o technologii MTNS

> Pøedpokládám ¾e to je nìjaká slepá ulièka ve vývoji, ¾e to pozdìji 
> pøeválcovala technologie MOS. Nebo se to je¹tì pou¾ívá?

V mikroelektronike su vsetky ulicky slepe, bo vzdy sa najde nieco ine,
lepsie... ;-)

Ako si urcite pamatate, u MOSFETu (presnejsie, tu je to MIS) je klucovym
problemom udrzat pod kontrolou povrchove stavy, zvacsa neziaduce na
rozhrani polovodic-izolant. Tieto vznikaju jednak nasledkom nedokonalej
cistoty a rovnomernosti povrchu "suroviny", dalej pri dopovani, dalej pri
tom vytvarani toho izolantu, dalej  pri naslednom spracovani. Nasledkom je
jednak nejake prahove napatie a kontrola nad nim, druhak vplyv na
pohyblivost tych "ziaducich" nosicov, a este za hrst inych efektov typu
vplyv na prierazne napatie, leagake, atd. Oxid je sice super, staci trocha
zahriat vo vlhkom kysliku a rastie ako z vody; ale spociatku boli snahy
hladat aj "nieco lepsie", kedze sa nedarilo dosiahnut kontrolovane dost
nizke prahove napatie a bolo treba robit vylomeniny typu zaporne
substratove predpatie (vsetci si pamatame 8080 :-) ).

O tom nitride som vyguglil celkom zaujimavy dobovy komentar, kde sa uvadza
rovno aj jeho nedostatok:
http://link.springer.com/chapter/10.1007/978-1-4615-9609-7_9#page-1

Na druhej strane poznamka o pouziti pridavku dusika do oxidu na zvysenie
dielektrickej konstanty 
http://en.wikipedia.org/wiki/High-%CE%BA_dielectric#Use_in_industry

wek