Energie na spinani mosfetu

[Pavel Hudecek]

Je to tak, teď jsem prošel pár DS. Celkem mě překvapilo, že velikost toho 
náboje od určité velikosti Uds skoro neroste. Např. od 1 do 10 V vzroste 2x, 
ale od 100 do 400 již jen o 7 %. Někde mezi tím se vyskytuje období, které z 
DS obvykle nelze vyčíst, kde vzroste hodně, třeba víc než 10x.

Na to jsem se kdysi nachytal, kdy procesor krásně budil LL MOSFET, na G byly 
hezké obdélníky, ale jen do okamžiku, než jsem připojil napájení výkonové 
části:-)

Závěr: Jediné rozumné řešení je, si v DS najít graf, kde je závislost Ugs na 
celkovém náboji a energii spočítat podle něj, tzn:

E = QU
kde U je ovládací napětí a Q je náboj pro něj vyčtený z grafu

Např.
http://www.vishay.com/docs/91124/91124.pdf
obr. 6 na straně 4

PH

From: "gatilo" <gatilo na centrum.cz>
> Tomu se rika, pokud se nemylim, Milleruv jev. No a vzhledem k tomu, ze
> ani samotna kapacita hradla neni prilis napetove konstantni, tak se to
> pocitani, ma li byt vysledek, ponekud lepsi nez bulharska konstanta,
> dost komplikuje.
> Proto je lepe, pri pocitani vychazet, ne z kapacity, ale z naboje, coz
> je udaj ktery slusny vyrobce uvadi v ds.
>
> Pavel Hudecek napsal:
>> Ale pokud spínáme nezanedbatelné napětí, začne být zajímavá zpětnovazební
>> kapacita (Reverse Transfer Capacitance). Ta je totiž na počátku nabitá na
>> plné napětí rozepnutého výstupu. Jeden konec je na D, druhý na G. V 
>> průběhu
>> spínání se vybíjí, přičemž tento proud směřuje od G do D (předpokládám 
>> typ
>> P). Tím se přenese náboj:
>
>> Q = Crss*Uvyp
>> Uvyp - napětí D-S ve vypnutém stavu před zahájením spínání
>
>> Z hlediska budiče je to další energie:
>
>> E = Q*Uovl
>
>> --------------------------------------
>> Příklad: 1nF /100 pF, 10 V/1 kV:
>
>> Eiss = 1n*10^2 = 100 nJ
>
>> Qrss = 100p*1k = 100 nC
>
>> Erss = 100n*10 = 1 µJ
>
>> E = 100n+1µ = 1,1 µJ