Energie na spinani mosfetu
Pavel Hudecek
edizon na seznam.cz
Pátek Březen 15 14:51:20 CET 2013
Tam podrobně rozebírají ztráty na výkonové straně, příkon budiče moc neřeší
(ale možná jsem si toho nevšiml). Jinak je to velmi hezký materiál. Abych
jen nekritizoval, tak:
Jednak máme vlastní nabíjení vstupní kapacity (Input Capacitance), včetně
stejně velkých ztrát v budiči (podrobnosti mám zde
www.dejvice.cz/edison/kond/nabc.html):
E = Ciss*Uovl^2 (1/2 se pokrátí s tím dvojnásobkem)
Uovl - ovládací napětí
Ale pokud spínáme nezanedbatelné napětí, začne být zajímavá zpětnovazební
kapacita (Reverse Transfer Capacitance). Ta je totiž na počátku nabitá na
plné napětí rozepnutého výstupu. Jeden konec je na D, druhý na G. V průběhu
spínání se vybíjí, přičemž tento proud směřuje od G do D (předpokládám typ
P). Tím se přenese náboj:
Q = Crss*Uvyp
Uvyp - napětí D-S ve vypnutém stavu před zahájením spínání
Z hlediska budiče je to další energie:
E = Q*Uovl
--------------------------------------
Příklad: 1nF /100 pF, 10 V/1 kV:
Eiss = 1n*10^2 = 100 nJ
Qrss = 100p*1k = 100 nC
Erss = 100n*10 = 1 µJ
E = 100n+1µ = 1,1 µJ
PH
From: <hutta.j na seznam.cz>
> Me se pro podobne vypocty osvedcil tento tutorial
> http://notes-application.abcelectronique.com/070/70-41484.pdf
Další informace o konferenci Hw-list