Energie na spinani mosfetu

Pavel Hudecek edizon na seznam.cz
Pátek Březen 15 14:51:20 CET 2013


Tam podrobně rozebírají ztráty na výkonové straně, příkon budiče moc neřeší 
(ale možná jsem si toho nevšiml). Jinak je to velmi hezký materiál. Abych 
jen nekritizoval, tak:

Jednak máme vlastní nabíjení vstupní kapacity (Input Capacitance), včetně 
stejně velkých ztrát v budiči (podrobnosti mám zde 
www.dejvice.cz/edison/kond/nabc.html):

E = Ciss*Uovl^2 (1/2 se pokrátí s tím dvojnásobkem)
Uovl - ovládací napětí

Ale pokud spínáme nezanedbatelné napětí, začne být zajímavá zpětnovazební 
kapacita (Reverse Transfer Capacitance). Ta je totiž na počátku nabitá na 
plné napětí rozepnutého výstupu. Jeden konec je na D, druhý na G. V průběhu 
spínání se vybíjí, přičemž tento proud směřuje od G do D (předpokládám typ 
P). Tím se přenese náboj:

Q = Crss*Uvyp
Uvyp - napětí D-S ve vypnutém stavu před zahájením spínání

Z hlediska budiče je to další energie:

E = Q*Uovl

--------------------------------------
Příklad: 1nF /100 pF, 10 V/1 kV:

Eiss = 1n*10^2 = 100 nJ

Qrss = 100p*1k = 100 nC

Erss = 100n*10 = 1 µJ

E = 100n+1µ = 1,1 µJ

PH

From: <hutta.j na seznam.cz>
> Me se pro podobne vypocty osvedcil tento tutorial
> http://notes-application.abcelectronique.com/070/70-41484.pdf 



Další informace o konferenci Hw-list