impulzni zatizitelnost FETu
hutta.j na seznam.cz
hutta.j na seznam.cz
Středa Červen 12 13:35:50 CEST 2013
Nevim zda to palti i zde, ale v jinem DS jsem cetl, ze Tc je teplota pouzdra
na zacatku a TJ je maximalni teplota prechodu coz je vlastne ona omezujici
podminka. Graf je pak vlastne o tom jak rychle se zvedne teplota prechodu z
25C na 175C pri danem proudu a napetove ztrate.
Nicmene mozna to ma IRF jinak, toto jsem cetl u nehoho jineho.
Hutta
>narazil jsem v datasheetu
http://www.tme.eu/cz/Document/e7241f4c43740a9ac56e038b16a2fae2/irfb4228pbf.
pdf
na věc, které nerozumím.
Na Fig. 12 má tranzistor při 100V 100us zatižitelnost max. 2A, takže
20mJ. Při 150V už nesnese nic. Nevím co je u toho obrázku míněno Tc=25
st.C a Tj=175 st.C - to jako Tj po konci impulzu? Nebo tranzistor je při
testu zatížen tak že při Tc=25 st.C má už před impulzem Tj=175 st.C? To
by ledacos vysvětlovalo. Protože na Fig.14 je avalanche podle proudu (13
až 50A) od 120 do 480 mJ, tedy při průrazném napětí 180V!
------------- další část ---------------
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20130612/2ae30c7d/attachment.htm>
Další informace o konferenci Hw-list