FET

[Martin Hanek]

Oboji je spravne. To druhe plati pro spinaci tranzistory ve zdrojich, 
menicich a ruznych ovladacich jednotkach motoru atd. Tam se spinaji 
velka napeti a po sepnuti tecou velke proudy. Je tedy nutne aby byl 
tranzistor velmi rychle sepnuty a rozepnuty, aby na nem nebylo velke 
napeti a zaroven jim netekl velky proud. Okamzity ztratovy vykon by jej 
znicil. To prave velke naroky (na proudy a rychlost) na budice tech 
koncovych mosfetu.

Martin Hanek

Dne 2. 6. 2013 19:07, Michal Grunt napsal(a):
> Zdravím,
> začínám se zajímat o tranzistory FET a něco mi není jasné. Tranzistor se ovládá velikostí napětí na gate a neteče tam skoro žádný proud. To jsem se dočetl na webu, ale možná jsem to špatně pochopil, protože tady sepíše něco jiného:
>
> http://danyk.cz/mosfety.html
>
> Budič gejtu
> Přechod G-S se chová jako kondenzátor. Ve statickém stavu neteče proud, ale pro zavření nebo otevření MOSFETu je potřeba dostatečný proud do gejtu, tedy dostatečně tvrdý budič. Zvlástě při zavírání MOSFETu je potřeba velký proud gejtem (tekoucí ven), protože se nevybíjí jen kapacita G-S ale také tzv. Millerova kapacita G-D. Ta je v případě obvodů napájených ze sítě nabita na 300 - 500V a při vzrůstu napětí na drejnu má tendenci zvyšovat napětí i na gejtu. To může způsobit částečné otevření tranzistoru ve chvíli, kdy už má být zavřený, což vede k jeho zničení !!!
>
> Jak to tedy je? Děkuji
>
> MG
>