Paralelni razeni MOSFETu v lin. rezimu

[Pavel Hudecek]

Dobrý den všem,

ve spínacím režimu je to jasné: S rostoucí teplotou roste RdsON, takže stačí 
prosté spojení. Ale v lineárním přichází nepříjemné zjištění, že s rostoucí 
T klesá prahové napětí a to až o několik V, což by směřovalo k odporu pod S, 
podobně jako u bipolárů pod E, jenže jeho hodnota by byla nehorázně velká.

Jsou k tomu nějaké nápady/poznámky/zkušenosti?

Děkuji,
PH