Paralelizace vyk. prvku

gatilo gatilo na centrum.cz
Neděle Prosinec 16 22:30:01 CET 2012


 16.12.2012, 22:25:50

MOSFETy, na rozdil od bipolaru, jsou snadno dostupne, i s takovymi
parametry, aby stacil jeden kousek a nemusel jste resit paralelni
razeni, byt i to ma sve vyhody.
napr:
http://cz.farnell.com/ixys-semiconductor/ixfn180n15p/mosfet-n-sot-227b/dp/1427321
http://cz.farnell.com/ixys-semiconductor/ixfk32n80p/mosfet-n-to-264/dp/1427309

S pozdravem Pavel
  mailto:gatilo + zavinac + centrum.cz

--
Hfmcons napsal:


>>
>> Na místě výkonového transistoru bych zvážil MOSFET(y), mají kladný teplotní
>> součinitel (tedy se snadno řadí paralelně), netrpí druhým průrazem a mají
>> mnohem lepší SOAR.
> To by asi situaci dost pořešilo, až na ještě menší účinnost oproti už
> tak mizerné, naštěstí to tady nehraje téměř žádnou roli. Vhodné
> Mosfety ale stejně nemám, tak budu muset zkusit experimentovat s těmi
> Emitorovými odpory, bipoláry by je snad měli snést i docela velké což
> by mohlo přispět k lepšímu přerozdělení a příjemnému klimatu v bedně
> :-))
> S pozdravem,
> Miloš Dašek



Další informace o konferenci Hw-list