paralelni chod MOSFETu

[Tomáš Hamouz]

Myslím že by bylo lepší mít společný odpor a všechny hradla paralelně.
Když to uděláte separátně, tak si díky toleranci součástek spíš
zvyšujete riziko že se nebudou zavírat stejnoměrně.
A jak psal p. Meduna, FETy se balancují samy.

Tomáš


JM> DD, podle pouzdra usuzuji, ze tranzistory budou na chladici.
JM> Proto bych se nebal tam dat jeden spolecny ridici obvod. O zbytek
JM> se postara matka priroda a zaporny teplotni koeficient uzitych
JM> tranzistoru, ktery privira kanal se vzrustajici teplotou(-13mV/C,
JM> katalogove rozmezi linearni oblasti je 2000 mV – tj. da se
JM> ocekavat, ze tam bude normalni rozdeleni s maximem nekde kolem
JM> prostrednich 500 mV). Neni to sice zcela ciste reseni, ale
JM> predpokladam, ze neco takoveho chcete slyset. Diskuze o SOA je na
JM> podobne tema a podle uvedeneho datasheetu by bylo rozumne si tam
JM> nechat nejaky bezpecnostni koeficent, vzhledem k uvedenym
JM> parametrum bych to v tomto konkretnim pripade (3 us/120 V/150 A) nastavil na +20%.