MOSFET v inverznim rezimu

[gatilo]

 4.4.2011, 10:16:47

Bipolarni tranzistor byl pry objeven tak, ze se v Bellovych
labolatorich pokouseli ovlivnovat proud v polovodicove diode el.
polem. Tedy trochu jako u elektronky. Ovlivnovani se povedlo, ale
chovalo se to presne naopak, nez byly puvodni predpoklady. Peclivou
analyzou bylo zjisteno, ze izolacni vrstva, ktera mela oddelovat
ridici elektrodu byla narusena, a elektroda misto aby vytvarela el.
pole, injektovala proud. Shockley k tomu udelal teorii a nobelovka
byla doma. Asi mate naslapnuto obdobnym smerem. :-)

S pozdravem Pavel
  mailto:gatilo + zavinac + centrum.cz

--
Vláďa Anděl napsal:

> Přesně tak by se to mělo chovat (aspoň "učebnicově"), jenže prahové 
> napětí toho tranzistoru je asi 3V a když bude D kladnější než S 
> (substrátová dioda je zavřená), pod 3V na G tam opravdu nic neteče. Když
> polaritu D a S obrátím, řídící napětí už v okolí nuly zjevně ovlivňuje
> úbytek na substrátové diodě. Samosřejmě musel bych to ještě odměřit při
> jiných proudech, na to už jsem neměl sílu. To že se tranzistor otevře 
> při Ug=3V, je v pořádku. Ale že řídící napětí ovlivňuje úbytek na 
> substrátové diodě už v okolí nuly, to je právě to, co mi na tom není jasné.
> Anděl

> Dne 4.4.2011 9:42, Pavel KREJCI napsal(a):
>> Abych se priznal ne uplne presne rozumim co znamena Ud. Ale jestli je
>> napeti na S vetsi nez na D o tech 600mV a proteka proud diodou, je to
>> v poradku. Pokud zacne Vgs vzrustat, tranzistor se zacne otvirat a az
>> se otevre, proud potece kanalem a ne diodou a napeti mezi D a S
>> klesne.
>> Opacne to samozrejme nepujde, protoze dioda je v zavernem smeru. Kanal
>> se chova stejne jen do te miry kam se zapoji substrat. Pokud prohodim
>> S a D a taky prepojim substrat na tu "spravnou" stranu, bude to
>> stejne. Pokud jde o IRF1405, v datasheetu je namalovane jak je
>> zapojena substratova dioda a to je napenvo.
>>
>> PK
>>
>> 2011/4/4 Vláďa Anděl<vaelektronik na vaelektronik.cz>:
>>> Zjistil jsem podivné chování tranzistoru MOSFET v inverzním režimu - dovolil
>>> jsem si malou přílohu. Když teče proud substrátovou diodou, mají na napětí
>>> vliv změny řídícího napětí i v okolí nuly. Změřil jsem to na IFR1405 při
>>> proudu 20mA, podobně se chovají i jiné typy tranzistorů. Při tom ve správné
>>> polaritě tranzistor otvírá až od 2,8V, pod tímto napětím nemají změny
>>> řídícího napětí na nic vliv. Myslel jsem si že kanál MOSFETu se chová pro
>>> obě polarity zhruba stejně a substrátová dioda a její proud s tím nesouvisí.
>>> Nebo je to jinak?
>>>
>>> Anděl
>>>
>>> _______________________________________________
>>> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
>>> Hw-list na list.hw.cz
>>> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>>>
>>>
>> _______________________________________________
>> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
>> Hw-list na list.hw.cz
>> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>>

> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list