N-MOS tok prudu S -> D

[Vláďa Anděl]

Tak teď jste mi ledacos vysvětlil. Když se objevily první teslácké KUN05 
... KUN20, dělal jsem s nimi měniče a vůbec jsem nechápal proč ty 
tranzistory někdy odcházely. Nebylo překročené ani jejich napětí, ani 
proud. Pak se objevily BUZ11 a ty byly nezničitelné. Pár těch KUN05 
ještě mám, až je najdu, změřím jestli tu diodu mají.

Anděl

Dne 21.12.2010 10:31, Jan Waclawek napsal(a):
>
> No praveze je.
>
> Klasicky (lateralny) MOSFET ju nema, ba dokonca sa nerobila ani na prvych vykonovych MOSFEToch (V-FETy, ak si este pamatas, aj Tesla ku koncu nejake robila). Tie boli fajnove a odchadzali od uplne vsetkeho, napriklad od prudkych spiciek, ktore dokazali kapacitne naindukovat do kanalovej oblasti dostatok nosicov naboja na to, aby sa zopol parazitny bipolarny tranzistor (a ten uz nejde vypnut, nasledkom coho je typicky termalna destrukcia suciastky).
> Ukazalo sa, ze nedostatky vytvorenia tej diody (t.j. vodiveho spojenia sourcovej oblasti s kanalovou oblastou - ta dioda ma velku plochu z coho vyplyvaju jej zle dynamicke vlastnosti, navyse ten MOSFET uz odvtedy nebol symetricky) su bohato vyvazene odolnostou voci tym necakanym destrukciam v typickych aplikaciach pre MOSFETy (ktore su typicky spinacie), takze uz to odvtedy robi tak uplne kazdy a poklada sa to za "intrinzicke".
>
> Pozri napriklad www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-558.pdf str.2 na spodku.
>
>
>> Dioda sa
>> oznacuje ako body-drain diode. Material drainu zase ako substrat...
>> Napr. http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf
>
> No, terminologia je svina a teda si viem predstavit, ze sa to naozaj takto bezne pouziva; podla mna je to vsak neadekvatne a vhodnejsie je ju oznacovat ako paraziticka S-D dioda. Skutocny drain je totiz ta malo dopovana (epitaxna) oblast, ktora je narastena na silne dopovanom substrate, na ktorom je potom napareny drainovy kontakt. Takze ta dioda nie je z kanalovej oblasti do substratu, ale do toho malo dopovaneho drainu; inak by ta dioda bola ozaj zla (mala male prierazne napatie vzhladom na vysoku dopaciu a relativne vysoku hustotu poruch v substrate).
>
>
> wek
>
>
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>