NAND vs NOR flash

[Vláďa Anděl]

No nevím jak proudové hustoty, tam snad jde o částečný napěťový průraz. Ty 
elektrony jsou urychlené napětím tak aby tu izolaci protunelovaly a 
pochopitelně po cestě občas do něčeho narazí a občas i něco rozbijou. Ta 
izolace postupně degraduje. Při čtení se nic neděje, náboj je uložený u 
řídící elektrody a jen se zjistí jestli ten FET vede. Ale k degradaci 
dochází nejen programováním, ale i mazáním.
Anděl

----- Original Message ----- 
From: "Lubor Otta" <butan@geoinvest.cz>
To: "HW-news" <hw-list@list.hw.cz>
Sent: Wednesday, October 07, 2009 4:49 PM
Subject: Re: NAND vs NOR flash


Ano, k tunelování elektronů do hradel jsou potřeba extrémní proudové
hustoty, a ty jsou doprovázeny i parazitními průvodními jevy, jako
difuze materiálu a další. Takže tranzistory se programováním (častým)
mění - ničí.
Lubor

Saša Svobodová napsal(a):
> Hezke odpoledne,
>
>    jak to, ze se vlastne EEPROM i FLASH po nejake dobe znici tim, ze
> se do ni zapisuje? Nekde jsem cetla, ze je snad nici i cteni, ale to
> je mozna pomluva.
>
>    Napada me, ze v pameti tecou pri zapisech velike proudy a
> tranzistory to vydrzi jen nejakou dobu a pak se odporouci do
> elektrnickeho nebe. Nebo je to jinak?
>
>    Dekuji za vysvetleni, vrta mi to hlavou uz delsi dobu :-)
>
> Z Ústí nad Labem zdraví a hezký den přeje
>
>
>                     Saša K. Svobodová
>
>
>

_______________________________________________
HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
Hw-list@list.hw.cz
http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list