NAND vs NOR flash

[Novotny Pavel]

Behem programovani (mazani) dochazi k poskozovani izolacni vrstvy kolem float gate tunelujícími
elektrony a u NOR injekci elektronu. Postupem casu se poskozeni dostane do stavu kdy  vrstva
SiO2 nedokaze dostatecne izolovat FG a bunka se neda pouzit pro uchování informace.
U NAND flash pameti je poskozeni teoreticky mensi a lze vyrobit NAND s zivotnosti az 1E6 cyklu, ale v realu se kvuli velkemu nahusteni a honeni se za kapacitou stejne vetsina NAND dela na 1E5 cyklu.

Pamet se pri cteni nenici, ovsem i zde je jity problem, Flash nedokazi informaci udrzet na veky a po case jak si zapominaji.

PN



>---------------------------------------------------------
>Od: Saša Svobodová
>Přijato: 7.10.2009 16:28:22
>Předmět: Re: NAND vs NOR flash
>
>Hezke odpoledne,
>
>
>
>    jak to, ze se vlastne EEPROM i FLASH po nejake dobe znici tim, ze se 
>
>do ni zapisuje? Nekde jsem cetla, ze je snad nici i cteni, ale to je 
>
>mozna pomluva.
>
>
>
>    Napada me, ze v pameti tecou pri zapisech velike proudy a 
>
>tranzistory to vydrzi jen nejakou dobu a pak se odporouci do 
>
>elektrnickeho nebe. Nebo je to jinak?
>
>
>
>    Dekuji za vysvetleni, vrta mi to hlavou uz delsi dobu :-)
>
>
>
>Z Ústí nad Labem zdraví a hezký den přeje
>
>
>
>
>
>					Saša K. Svobodová
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>>> Prakticky vzado je Flash mrtva technologie a do 5 let po ni nestekne ani pes (v oblasti pametovych technologii pro hronadne uchovani dat), jeji hlavni nevyhodou je mizerna zivotnost a niceni se pri zapisech cca 100.000 Write/Errese cyklu.