Trvale dobijeni geloveho akumulatoru.

[Andrej Jancura]

Ahoj,

mozem sa spytat, co brani premiestnit pol R2,P1 za odpor R1 na emitor Q1?
Este jedna poznamka, R1 a odpor LM317 medzi 32 by mal byt priblizne rovnaky.

A.


----- Original Message ----- 
From: "Martin Hanek" <martin.hanek@centrum.cz>
To: "HW-news" <hw-list@list.hw.cz>
Sent: Tuesday, May 26, 2009 4:30 PM
Subject: Re: Trvale dobijeni geloveho akumulatoru.


LM317 mam na stole v tomto zapojeni:
http://www.uoguelph.ca/~antoon/circ/labc3.html
ale zavira to moc brzo. Dal jsem tam odpor 3R3 a uz pri 95mA je na
vystupu pouze 9.5V.
Dalsim problemem je ten odpor v GND, potreboval bych jej v kladne vetvi,
aby GND byla primo spojena. Zkousel jsem to s odporem a PNP tranzistorem
na vystupu, ale take to zavira moc brzo. Musim si pohrat s temi odpory.

Martin Hanek


Juraj Michálek napsal(a):
> ST robi priamo zdroj pre dobijanie gelovie, je to v principe LM317 s 
> napevno
> nadstavenym delicom na 13,8V BTW preco neopuzit LM317, pripadne jeho SMD
> derivaty s nizsim vykonom ?
>
> S pozdravom
> Juraj Michálek
> www.toolsquare.com
> ICQ: 209 598 598
_______________________________________________
HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
Hw-list@list.hw.cz
http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list

__________ Informacia od ESET NOD32 Antivirus, verzia databazy 4105 
(20090526) __________

Tuto spravu preveril ESET NOD32 Antivirus.

http://www.eset.sk