rozdíl mezi 2SK170 a DS170

Kručinský Ladislav ladislav.krucinsky@linde-mh.cz
Pondělí Březen 3 09:09:35 CET 2008


Zdravím.
Jenom bych se rád ujistil, že blbej nejsu já...
V zpožďovači připojení reproduktoru v koncovém stupni zesilovače je navržen tranzistor DS170 který gatem kouká na napětí na elytu a až toto doroste (dle návrháře) 2,5V sepne relé. V katalogu GM tento tranzistor je za 2,50 Kč, bez nějakého omezení, koupil jsem si ho a doma koukám, na pouzdru je K170. Nahlédl jsem do VRT tabulek, oba jsou FETy, tak asi v GM vědí co dělají. Jenže v zapojení nepracoval, spínal už okolo nuly a choval se divně.
Tak jsem si stáhl datasheety a podle charakteristik je to asi něco úplně jiného, jenom se chci ujistit - BS170 je dle nadpisu "TMOS FET Switching N-channel-enhancement" zatímco 2SK170 je "Field Effect Tranzistor Silicon N channel junction type" - tady pro mne podstatný rozdíl nevidím. Ale ten 2SK170 má parametry uvedeny se záporným znaménkem (např Vgds = -40V) zatímco ten BS 170 je uvádí všechny kladné.
Co jsem kurňa přehlídl já ? Respektive pracovníci GM...

zdravim -  regards - tschuess

Ing. Ladislav Krucinsky
specialista servisu
Linde  MH - CZ
tel. + 420 602 213 486


------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20080303/21ad4b9e/attachment-0002.htm 


Další informace o konferenci Hw-list