Pamet a RTC

Jan Waclawek wek@evona.sk
Čtvrtek Červen 8 18:40:13 CEST 2006


RVsoft wrote:
> Dival jsem se na to jak ty zarizeni funguji na jedne I2C sbernici a neni 
> mi jasne kd evezmu jejich adresu - ta je pevne urcena vyrobcem? 

Bud tak, alebo je na cast adresy vyhradenych zopar noziciek.

> Nejak mi 
> ale nesedi jen 8b kod zarizeni...
> 

No, bohuzial, rovnake zariadenia nepripojite, a je aj dost lahko mozne 
ze sa stretnu 2 s rovnakou adresou. Inak by vsak ten protokol 
neprimerane napuchol.

> Jak to je s EEPROM pametmi a zapisovanim na jedno a to same misto? Je 
> treba ty mista nejak stridat nebo je to jedno?

No to zavisi od toho, ci sa chcete predrat az po holy kremik :-)))

Pocet povolenych zapisovych cyklov urcuje tzv. "endurance", a u EEPROM 
byva 1e5 az 1e6 (kuk do datasheetu), tak si to zratajte.
Ak by to nestacilo, daju sa robit rozne tie triky s pouzivanim viacerych 
miest ("wear leveling"), ale lepsie je pouzit bud nejaku RAM+baterku (na 
I2C dost zriedkavost), alebo je teraz moderna (aj ked trocha drahsia) 
suciastka tzv. FRAM (feroelektricka RAM - nedajte sa pomylit nazvom, je 
nonvolatile t.j. neskleroticka) - prakticky to robi len f. RAMTRON aj 
ked pred nejakym casom s tym machrovali v press releasoch viaceri - tam 
sa do cyklov rataju aj citania ale 5V ma specifikovanych 1e8 cyklov a 3V 
ma specifikovane nekonecno, takze sa to dobre rata :-) Ma este jednu 
dobru vlastnost, a to rychly zapis, nie je treba vobec cakat (u EEPROM 
to trva milisekundy).

wek



Další informace o konferenci Hw-list