NMOS v inverznim rezimu

[Jirka]

a b napsal(a):

> Zdravim, poradite mi jestli nejsou nejake zadrhele pri pouziti NMOS
> tranzistoru v inverznim rezimu? -- je zapojen tak, ze proud proteka
> od S k D (to ze je tam odchrana/lavinova dioda mi nevadi).
> 
> Zajimalo by me, jak je to s odporem a proudovou zatizitelnosti
> tranzistoru v tomto zapojeni.
> 
> Predem diky za vase odpovedi
> 
> P.S. jedna se o tranzistor IRFS31N20D a bude spinat 150V / 2A

1) jak chcete v inverznim rezimu spinat 150V, kdyz dioda zacne vest pri 
nejakych <=1V a tedy Uds nikdy neklesne pod tuto (zapornou) hodnotu?

2) ve vodivem stavu je to prakticky jedno, kanal ma odpor -> 0R 
(82mOhm), ubytek na nem -> 0V (164mV) a tedy transistor v podstate 
"nevi", ze je v inverznim rezimu

3) pro chovani v oblasti prechodovych jevu (dynamicke) by byla zapotrebi 
hloubkova analyza a mereni, nevim o tom, ze by to nekdo delal. Stejne to 
ale ma smysl jen do uvedeneho max. zaporneho Uds.

4) nekdejsi MOSFETy mivaly symetrickou strukturu a tak to tam bylo 
jedno. U HEXFETu (coz je tento pripad) to neplati a z toho je potreba 
vychazet.

-- 
Jirka